[发明专利]集成电路有效
申请号: | 201710874031.3 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN108376552B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 金昌铉;具岐峰;宋清基;尹炳国;李约瑟;李宰承 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/02 | 分类号: | G11C29/02;G11C29/14;G11C29/18;G11C29/50 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 程强;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,其包括:
第一半导体器件,被配置为将从命令产生的内部命令输出至第一输入穿通电极,被配置为将从内部命令产生的高阶选通信号输出至第一输出穿通电极,以及被配置为检测从第二输出穿通电极接收的低阶选通信号与高阶选通信号之间的相位差,以控制内部命令的输入时间点;以及
第二半导体器件,被配置为从第一输入穿通电极接收内部命令,被配置为从内部命令产生低阶选通信号以将低阶选通信号输出至第二输出穿通电极,以及被配置为检测从第一输出穿通电极接收的高阶选通信号与低阶选通信号之间的相位差,以控制内部命令的输入时间点,
其中,第一半导体器件和第二半导体器件被配置为:如果高阶选通信号和低阶选通信号之间的相位差在预定时间段的范围内,则将内部命令延迟预定延迟时间。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,第一半导体器件包括:
控制电路,被配置为产生在启动操作之后被使能的校准使能信号,被配置为产生如果校准使能信号被使能则被使能的内部命令,以及被配置为产生如果校准使能信号被使能则被切换的校准周期信号;
第一传输电路,被配置为将内部命令输出至第一输入穿通电极,被配置为将校准使能信号输出至第二输入穿通电极,以及被配置为将校准周期信号输出至第三输入穿通电极;
第一接收电路,被配置为接收内部命令以产生第一内部读取信号,被配置为接收校准使能信号以产生第一内部使能信号,以及被配置为接收校准周期信号以产生第一内部周期信号;
第一内部电路,被配置为将第一内部读取信号延迟基于高阶编码信号确定的延迟时间,以产生高阶选通信号;
第一校准电路,被配置为基于第一内部使能信号、第一内部周期信号和第一检测信号,来产生高阶传输控制信号和被计数的高阶编码信号;
第二传输电路,被配置为基于高阶传输控制信号来将高阶选通信号输出至第一输出穿通电极;
第二接收电路,被配置为接收高阶选通信号以产生第一高阶传输选通信号,并且被配置为接收低阶选通信号以产生第二高阶传输选通信号;以及
第一检测电路,被配置为将第一高阶传输选通信号的相位与第二高阶传输选通信号的相位进行比较,以产生第一检测信号。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中,控制电路包括:
命令解码器,被配置为产生基于命令和校准使能信号而被使能的内部命令;以及
校准控制电路,被配置为产生基于启动信号和时钟信号而被使能的校准使能信号,并且被配置为产生基于启动信号和时钟信号而被切换的校准周期信号。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其中,控制电路包括:
地址解码器,被配置为对地址进行解码,以产生包括用于选择第一内部电路中的存储体的位置信息的输入地址。
5.根据权利要求2所述的集成电路,其中,第一内部电路包括:
第一延迟电路,被配置为将第一内部读取信号延迟根据高阶编码信号的逻辑电平组合而确定的延迟时间,以产生第一输出使能信号;以及
第一存储电路,被配置为产生基于第一输出使能信号而被使能的高阶选通信号。
6.根据权利要求5所述的集成电路,
其中,第一延迟电路被配置为基于第一检测信号而从第一内部地址产生第一存储体地址,并且被配置为将第一内部地址延迟根据高阶编码信号的逻辑电平组合而确定的延迟时间,以产生第一存储体地址,以及
其中,第一存储电路被配置为根据第一存储体地址来选择包括在第一存储电路中的存储体。
7.根据权利要求5所述的集成电路,其中,第一延迟电路包括:
第一内部延迟电路,被配置为将第一内部读取信号延迟根据高阶编码信号确定的延迟时间,以产生第一延迟信号;以及
第一选择/传输电路,被配置为基于第一检测信号来输出第一内部读取信号和第一延迟信号中的任意一个作为第一输出使能信号。
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