[发明专利]一种硅基光学天线及制备方法有效
| 申请号： | 201710866269.1 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109541743B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;徐洋;李召松;李稚博;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/136;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 天线 制备 方法 | ||
1.一种硅基光学天线，其特征在于，所述光学天线包括：
SOI衬底，所述SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层，其中所述埋氧化层位于所述衬底硅层和所述顶部硅层中间，将所述SOI衬底的顶部硅层通过刻蚀形成一列水平排列的波导，其中所述波导的间距呈高斯分布，每个波导上刻有光栅；
其中，所述波导的间距呈高斯分布，具体为，在所述水平排列的波导所形成的波导阵列中，所述波导阵列两边波导的相邻两条波导的间距大于中间波导的相邻两条波导的间距，且根据所述高斯分布越靠近所述波导阵列中心的相邻两条波导的间距越小。
2.根据权利要求1所述的光学天线，其特征在于，所述光栅在波导上采用浅刻蚀，且相邻光栅间的间距满足光栅周期，其中所述光栅周期根据所述光学天线处理的光波波段来获取。
3.根据权利要求1所述的光学天线，其特征在于，所述光学天线的光栅所在区域上方覆盖有一层SiO2保护层。
4.一种制备如权利要求1-3任一一个所述光学天线的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取第一SOI衬底，所述第一SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层；
在所述顶部硅层刻蚀形成一列水平排列的波导，其中所述波导的间距呈高斯分布，从而得到第二SOI衬底；
在所述波导上根据光栅周期刻蚀光栅，其中所述光栅周期根据所述光学天线所处理的光波波段获取，从而得到第三SOI衬底。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光栅在波导上采用浅刻蚀。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在第三SOI衬底的基础上，在所述光栅所在区域的上方生长一层SiO2保护层，从而得到第四SOI衬底。
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