[发明专利]在金属线的阵列的非心轴线中形成自对准切口的设备及方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包含：

提供在介电质堆栈上方分别布置有第一硬掩模层、第二硬掩模层及心轴层的结构；

将心轴阵列图型化到该心轴层内；

将伽马沟槽图型化到该第二硬掩模层内及该心轴层的心轴之间；

在该伽马沟槽的侧壁上形成自对准的内间隔物，其中，贝他沟槽插塞以及该内间隔物形成一图案；以及

将该图案蚀刻到该介电质堆栈内以形成顺着Y方向延展、并顺着X方向自对准的交替心轴与非心轴金属线阵列，该图案的由该内间隔物所形成的部分形成位在非心轴线中的一对非心轴线切口，该非心轴线切口顺着该Y方向自对准。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该非心轴线切口是通过100nm或更小的中心至中心距离来分开。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该非心轴线切口是通过50nm或更小的中心至中心距离来分开。

4.如权利要求1所述的方法，包含：

在该结构上方布置伽马光刻堆栈；

利用单一非心轴线切割掩模将伽马开口图型化到该伽马光刻堆栈内；以及

各向异性蚀刻该伽马光刻堆栈，以将该伽马沟槽形成到该第二硬掩模层内。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该非心轴线切口具有相等宽度，该方法包含：

将该伽马沟槽图型化成具有等于非心轴线切口之间的中心至中心距离加上非心轴线切口的宽度的伽马沟槽宽度。

6.如权利要求5所述的方法，包含：

在该伽马沟槽上方布置间隔物层，该间隔物层具有间隔物层厚度；

各向异性蚀刻该间隔物层以形成该内间隔物，并且使该伽马沟槽内、及介于该内间隔物之间的该第一硬掩模层曝露，该内间隔物具有与该间隔物层的该厚度相等的宽度、并且是通过该伽马沟槽内的边缘至边缘距离来分开。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该内间隔物宽度等于该非心轴线切口的该宽度，并且介于该内间隔物之间的该边缘至边缘距离等于介于该非心轴线切口之间的边缘至边缘距离。

8.如权利要求1所述的方法，包含：

将贝塔沟槽图型化到该心轴内；

在该结构上方布置间隔物层以形成位在该贝塔沟槽内的该贝塔沟槽插塞；以及

将该图案蚀刻到该介电质堆栈内以形成交替心轴与非心轴金属线阵列，该图案的由该贝塔沟槽插塞所形成的另一部分形成位在心轴线中的心轴线切口。

9.如权利要求8所述的方法，包含：

在该结构上方布置贝塔光刻堆栈；

利用单一心轴线切割掩模将贝塔开口图型化到该贝塔光刻堆栈内；以及

各向异性蚀刻该贝塔光刻堆栈，以将该贝塔沟槽形成到该心轴内。

10.一种制造半导体装置的方法，包含：

提供在介电质堆栈上方分别布置有第一硬掩模层、第二硬掩模层及心轴层的结构；

将心轴阵列图型化到该心轴层内；

将贝塔沟槽图型化到该心轴层的心轴内，并且将伽马沟槽图型化到该第二硬掩模层内及该心轴之间；

在该伽马沟槽的侧壁上形成自对准的内间隔物，并且以贝塔沟槽插塞来填塞该贝塔沟槽，其中，第一间隔物、该内间隔物及该贝塔沟槽插塞形成一图案；

将该图案蚀刻到该介电质堆栈内以形成顺着Y方向延展、并顺着X方向自对准的交替心轴与非心轴金属线阵列，该图案的由该内间隔物所形成的部分在非心轴线中形成通过小于100nm的中心至中心距离来分开的一对非心轴线切口，该图案的由该贝塔沟槽插塞所形成的另一部分在心轴线中形成心轴线切口。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该对非心轴线切口顺着该Y方向自对准。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该非心轴线切口是通过25nm或更小的中心至中心距离来分开。