[发明专利]电荷转移型灵敏放大器

说明书

本发明公开了一种电荷转移型灵敏放大器，包括：补偿电路单元，连接在电源电压和列数据线节点之间，用于提供补偿电流；补偿电路单元呈补偿电流会根据列数据线节点的电压进行自适应变化的结构；当存储器单元为编程状态时，存储器单元对列数据线节点的下拉电流变小，列数据线节点要求达到高电位，列数据线节点的电压越高补充电流越大，补充电流越大使列数据线节点上升到目标值的速率越大；当存储器单元为擦除状态时，存储器单元对列数据线节点的下拉电流变大，列数据线节点要求达到低电位，列数据线节点的电压越低补充电流越小，补充电流越小使列数据线节点下降到目标值的速率越大。本发明能提高列数据线节点的变化速率，从而提高读取速率。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种电荷转移型灵敏放大器。

背景技术

如图1所示，是现有电荷转移型灵敏放大器的电路图；现有电荷转移型灵敏放大器包括：

NMOS管n101，栅极连接箝位电压VCLAMP，保持开启状态；源极连接到位线节点Bl，通过位线节点Bl连接存储器单元(cell)102。

PMOS管p101，源极连接电源电压VDD，漏极连接NMOS管n101的漏极且都连接列数据线节点VD，PMOS管p101的栅极连接控制信号PBIAS，PBIAS为一固定电压，如通过电流镜像的偏置电压。

比较器101的正相输入端连接列数据线节点VD，反相输入端连接参考电压VREF，输出端作为电荷转移型灵敏放大器的输出端，通过VD和VREF的比较形成输出信号DOUT。

预充电完成后，VD电压会充电到电源电压VDD，现有电荷转移型灵敏放大器在对存储器单元102进行读取时的比较阶段中：

如果存储器单元为写单元(Program cell，p cell)，则存储器单元102不导通，电流理论上为零，位线电压不变，节点BL电压不变，节点VD电压保持为VDD，节点VD的电压大于参考电压VREF。

如果存储器单元为擦除单元(Erase cell，e cell)，存储器单元102导通导通，即有电流，位线电压会下降，即节点BL电压会下降从而导致VD电压下降，下降后的VD电压小于参考电压VREF。

锁存阶段中，节点VD电压与参考电压VREF比较，得出结果“0”和“1”。

但实际情况中p cell仍会有很小的电流，衰减以后电流还会增大，VD电压会缓慢下降。所以需要PMOS管p101来提供补偿电流，这个PBIAS由外部控制，补偿电流能避免VD电压的下降。

现有技术中，补偿电流的电流值设置在e cell电流和p cell电流中间的一个值。这种设置的缺点是：补偿电流对读取p cell是有利的，VD电压不会下降；而对读取e cell则是不利的，会导致VD电压下降缓慢，降低读取速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种电荷转移型灵敏放大器，能提高列数据线节点的变化速率，从而提高读取速率。

为解决上述技术问题，本发明提供的电荷转移型灵敏放大器，包括：

补偿电路单元，所述补偿电路单元连接在电源电压和列数据线节点之间，所述补偿电路单元用于在比较阶段提供补偿电流。

所述输出单元读取所述列数据线节点的电压信号后输出数据。

位线调整单元，连接在所述补偿电路单元的输出端和存储器单元的位线节点之间，所述位线调整单元提供一开关使所述位线节点和所述列数据线节点连接。

所述补偿电路单元呈所述补偿电流会根据所述列数据线节点的电压进行自适应变化的结构。