[发明专利]电荷转移型灵敏放大器有效
申请号: | 201710851521.1 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107665718B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 王鑫 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/08 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 转移 灵敏 放大器 | ||
1.一种电荷转移型灵敏放大器,其特征在于,包括:
补偿电路单元,所述补偿电路单元连接在电源电压和列数据线节点之间,所述补偿电路单元用于在比较阶段提供补偿电流;
输出单元读取所述列数据线节点的电压信号后输出数据;
位线调整单元,连接在所述补偿电路单元的输出端和存储器单元的位线节点之间,所述位线调整单元提供一开关使所述位线节点和所述列数据线节点连接;
所述补偿电路单元呈所述补偿电流会根据所述列数据线节点的电压进行自适应变化的结构;
当所述存储器单元为编程状态时,所述存储器单元对所述列数据线节点的下拉电流变小,所述列数据线节点要求达到高电位,所述列数据线节点的电压越高所述补偿电流越大,所述补偿电流越大使所述列数据线节点上升到目标值的速率越大;
当所述存储器单元为擦除状态时,所述存储器单元对所述列数据线节点的下拉电流变大,所述列数据线节点要求达到低电位,所述列数据线节点的电压越低所述补偿电流越小,所述补偿电流越小使所述列数据线节点下降到目标值的速率越大;
所述补偿电路单元包括互为进行的第一镜像路径和第二镜像路径;
所述第一镜像路径的输出的电流为所述补偿电流并连接到所述列数据线节点;
所述第二镜像路径的电流输出端连接到第一NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的栅极连接所述列数据线节点;
所述列数据线节点电压越高,所述第一NMOS管的源漏电流越大,所述第二镜像路径的电流越大,所述第二镜像路径的电流镜像到所述第一镜像路径的电流也越大;
所述列数据线节点电压越高,所述第一NMOS管的源漏电流越大,所述第二镜像路径的电流越大,所述第二镜像路径的电流镜像到所述第一镜像路径形成的所述补偿电流也越大;
所述列数据线节点电压越小,所述第一NMOS管的源漏电流越小,所述第二镜像路径的电流越小,所述第二镜像路径的电流镜像到所述第一镜像路径形成的所述补偿电流也越小。
2.如权利要求1所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述第一镜像路径包括第一PMOS管,所述第二镜像路径包括第二PMOS管;
所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极都连接电源电压;
所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极都连接所述第一NMOS管的漏极;
所述第一PMOS管的漏极输出所述补偿电流。
3.如权利要求2所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述第一PMOS管的漏极和所述列数据线节点之间还连接有第一电阻。
4.如权利要求1所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述位线调整单元包括第二NMOS管,所述第二NMOS管作为连接所述位线节点和所述列数据线节点的开关,所述第二NMOS管的源极连接所述位线节点,所述第二NMOS管的漏极连接所述列数据线节点;所述第二NMOS管的栅极连接箝位电压。
5.如权利要求1所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述输出单元包括一比较器,所述比较器的正相输入端连接所述列数据线节点,所述比较器的反相输入端连接一参考电压。
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