[发明专利]由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备

权利要求书

1.一种约瑟夫森结，包括：

第一极低电阻导体，所述第一极低电阻导体包括改性的极低电阻材料；

第二极低电阻导体，所述第二极低电阻导体包括所述改性的极低电阻材料；以及

阻挡材料，所述阻挡材料设置在所述第一极低电阻导体与所述第二极低电阻导体之间；

其中，所述极低电阻是II型超导材料半导体在其超导状态下的电阻；并且，

其中，所述改性的极低电阻材料包括极低电阻材料的在a轴上取向的第一层和键合至所述第一层的所述极低电阻材料的改性材料的第二层，其中，所述改性的极低电阻材料具有超过单独的所述极低电阻材料的工作特性的改进的工作特性。

2.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电材料。

4.根据权利要求3所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电金属。

5.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括半导体材料。

6.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括极低电阻材料。

7.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述极低电阻材料在大于150K的温度处，工作在极低电阻状态中。

8.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料设置在所述第一极低电阻导体的极低电阻材料的第一层与所述第二极低电阻导体的极低电阻材料的第一层之间。

9.根据权利要求8所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料进一步设置在所述第一极低电阻导体的改性材料的第二层与所述第二极低电阻导体的改性材料的第二层之间。

10.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述极低电阻材料进一步包括与极低电阻材料的所述第一层接触的衬底。

11.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述改性的极低电阻材料包含金属和所述金属的氧化物，所述金属选自由铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑、铍、镓或硒构成的组。

12.一种约瑟夫森结，包括：

第一极低电阻导体，所述第一极低电阻导体包括改性的极低电阻材料；

第二极低电阻导体，所述第二极低电阻导体包括所述改性的极低电阻材料；以及

阻挡材料，所述阻挡材料设置在所述第一极低电阻导体与所述第二极低电阻导体之间；

其中，所述改性的极低电阻材料包括极低电阻材料的在a轴上取向的第一层和键合至所述第一层的所述极低电阻材料的改性材料的第二层，其中，所述改性的极低电阻材料具有大于150K的临界温度。

13.根据权利要求12所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括绝缘材料。

14.根据权利要求12所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电材料。

15.根据权利要求14所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电金属。

16.根据权利要求12所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括半导体材料。

17.根据权利要求12所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括极低电阻材料。

18.根据权利要求12所述的约瑟夫森结，其中，所述第一极低电阻导体和所述第二极低电阻导体各自包括由所述极低电阻材料形成的极低电阻导线。