[发明专利]膜厚传感器有效
| 申请号： | 201710831065.4 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107794509B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种膜厚传感器，其具有AT切型石英振子，
所述石英振子具有成膜面，所述成膜面的表面粗糙度(Ra)为0.19μm以上且0.4μm以下、并且切割水平50％的载荷长度比率(tp)为95％以上，所述切割水平50％的载荷长度比率(tp)是通过将粗糙曲面以平行于顶点面的切割水平即Ry的50％切割时得到的切割面积的和相对于基准面的百分比而求得的。
2.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其中，
所述成膜面的切割水平50％的载荷长度比率(tp)为97％以上。
3.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其中，
所述成膜面的表面粗糙度(Ra)为0.25μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚传感器，其中，
所述石英振子由相对于晶体的r面具有3°05′±03′的切割方位的石英振子构成，所述r面是相对于晶体的Z轴构成规定角度的晶面。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚传感器，其中，
所述石英振子的基本振荡频率为5MHz或6MHz。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚传感器，其中，
所述成膜面由金属膜构成。
7.根据权利要求6所述的膜厚传感器，其中，
所述金属膜是Ag膜或Au膜。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚传感器，其中，
所述石英振子具有所述成膜面为平坦面的平凸形状。
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