[发明专利]一种选择性铜腐蚀液及应用

权利要求书

1.一种选择性铜腐蚀液，其特征在于，按重量百分比计包含：1～20%的氧化剂、0.001～5%的过氧化氢稳定剂、0.01～10%的无机酸、1～4%的可溶性有机酸二价铜盐、0.01～8%的螯合剂和/或缓蚀剂、0.001～3%的表面活性剂和余量水，氧化剂的主要组成为过氧化氢；所述氧化剂还包括结构式为R-S=O-R’的亚砜类化合物，其中R和R’分别选自烷基、烯烃基、苯基、苄基、(CH₂)_mS-R1，m为1以上的整数，R1为烷基。

2.根据权利要求1所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，氧化剂由过氧化氢和亚砜类化合物组合而成，氧化剂中过氧化氢的重量百分比为83～95%。

3.根据权利要求2所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，亚砜类化合物结构式中的R和R’分别为C1～C3的烷基。

4.根据权利要求2所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，可溶性有机酸二价铜盐为可溶性氨基酸螯合铜、柠檬酸铜、琥珀酸铜中的一种或者两种以上的组合。

5.根据权利要求4所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，无机酸为硫酸。

6.根据权利要求5所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，缓蚀剂为选自钼酸钠、钼酸钾、钼酸铵、硅酸钠、硅酸钾中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的选择性铜腐蚀液，其特征在于，螯合剂为选自酪氨酸、赖氨酸、蛋氨酸中的一种或两种以上的组合。

8.权利要求1-7中任意一项所述的选择性铜腐蚀液在半导晶片上腐蚀铜或铜化合物层的应用。