[发明专利]一种非金属基光电阴极的制备方法

权利要求书

1.一种非金属基g-C₃N₄/GDY光电阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备石墨炔纳米墙：在溶剂中加入铜片作基底，再滴入六炔基苯溶液，使六炔基苯在铜的催化作用下在溶剂发生偶联反应，得到在铜片基底上生长的石墨炔纳米墙；

制备g-C₃N₄纳米片分散液：将尿素煅烧后得到块材g-C₃N₄，将块材g-C₃N₄加入到分散剂中，超声处理后得到g-C₃N₄纳米片分散液；

制备g-C₃N₄/GDY光电阴极：将上述制备的长有石墨炔纳米墙的铜片加入g-C₃N₄纳米片分散液中，然后在45～55℃反应8～14h，取出铜片，烘干，铜片表面生成的物质即为g-C₃N₄/GDY光电阴极；

所述分散剂为N-甲基吡咯烷酮，所述g-C₃N₄纳米片分散液的浓度为0.8～1.2 mg/mL，长有石墨炔纳米墙的铜片与g-C₃N₄纳米片分散液的用量情况为：每5mL g-C₃N₄纳米片分散液加入表面积为3～6cm²的长有石墨炔纳米墙的铜片进行反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂由四甲基乙二胺：吡啶：丙酮按体积比为1：（4～6）：（90～110）组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偶联反应的时间为18～22 h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述六炔基苯溶液为六炔基苯的丙酮溶液。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述六炔基苯的用量为0.5～1 mg每平方厘米的铜片表面积。

6.一种非金属基g-C₃N₄/GDY光电阴极，其特征在于，其制备方法为上述1～5任一所述的方法。

7.权利要求1～5任一所述方法制备的非金属基g-C₃N₄/GDY光电阴极在光电催化产氢中的应用。