[发明专利]一种阵列基板及显示装置

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够降低辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率。该阵列基板包括多组信号线引线，同一组信号线引线延伸至同一绑定区，该阵列基板还包括设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构；辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈，外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

如图1所示，液晶显示装置划分为走线区01和显示区02，显示区02中包括对液晶层中的液晶分子进行配向的配向膜(图中未示出)，走线区01中设置有与扇形走线(Fanout)结构F连接的多个绑定区(Bongding Area)，其中，配向膜一般采用摩擦配向工艺制作，即通过滚动摩擦辊，使配向膜上形成配向槽。

如图1所示，现有技术中，一般在相邻扇形走线结构F之间的区域设置辅助走线结构10，以避免摩擦辊在从显示区02滚动至走线区01时，因相邻扇形走线结构F之间的区域与周围区域之间因断差过大而导致摩擦云纹现象(Rub Mura)。

然而，如图2所示，由于配向膜阻抗较高，可视为绝缘塑料，因此，摩擦产生的电荷容易积累在摩擦辊03的表面，这样一来，在摩擦辊03从显示区02沿方向T滚动至走线区01时，摩擦辊03的表面的电荷会转移至辅助走线结构10上，导致在该辅助走线结构10的拐角A处容易发生尖端放电，瞬间会产生较大电流，且电流会通过扇形走线结构F(图2中仅示出了扇形走线结构F的部分)中的走线传输至显示区02，进而造成显示装置在正常画面显示过程中出现显示异常或者显示不均的现象(例如，Mura)。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，能够降低辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种阵列基板，包括：多组信号线引线，同一组信号线引线延伸至同一绑定区，所述阵列基板还包括：设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构；所述辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈，所述外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接。

进一步优选的，所述辅助走线结构还包括位于所述外围封闭走线圈内的内部走线，所述外围封闭走线圈上设置有至少一个朝向所述内部走线一侧的尖端。

进一步优选的，所述至少三条外围走线中包括位于靠近所述阵列基板的显示区一侧、且与多个所述绑定区排列方向平行的第一外围走线；所述第一外围走线上设置有至少一个所述尖端。

进一步优选的，所述至少三条外围走线为四条外围走线；所述四条外围走线中包括与所述第一外围走线平行设置的第二外围走线，以及分别位于所述第一外围走线和所述第二外围走线的两侧的第三外围走线和第四外围走线；其中，所述第三外围走线和所述第四外围走线分别与其相邻组的信号线引线中最靠近所述辅助走线结构的两个信号线引线平行设置。

进一步优选的，所述内部走线包括：与所述外围封闭走线圈直接连接的第二内部走线，以及与所述第二内部走线断开的第一内部走线；所述第一内部走线与所述第一外围走线平行设置，且所述第一内部走线至少与所述第一外围走线中设置所述尖端的部分正对设置；所述第一内部走线与所述第二内部走线在断开处通过导电连接部连接，所述导电连接部的电阻率大于所述内部走线的电阻率。

进一步优选的，所述第一内部走线与所述第一外围走线相邻设置。