[发明专利]电压前馈电流产生电路在审
申请号: | 201710771529.7 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107450653A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 甄少伟;曾鹏灏;周万礼;陈佳伟;杨明宇;罗萍;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人: | 李凌峰 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 馈电 流产 电路 | ||
本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题,提供了一种电压前馈电流产生电路,其技术方案可概括为:电压前馈电流产生电路,包括包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是,电路结构简单,且功耗较小,节约版图面积,合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题,适用于电压前馈电流产生电路。
技术领域
本发明涉及集成电路技术,特别涉及电压前馈电流产生电路。
背景技术
传统的电压前馈电流产生电路如图1所示,包括电流输出端、运算放大器OP、LDMOS耐压管一MN1、LDMOS耐压管二MN2、电压输入端、固定电平输入端及电阻R1,其中,运算放大器OP的输出端与LDMOS耐压管一MN1的栅极及LDMOS耐压管二MN2的栅极连接,正相输入端与LDMOS耐压管一MN1的漏极连接,负相输入端与固定电平输入端连接,LDMOS耐压管一MN1的源极接地,电压输入端通过电阻R1与LDMOS耐压管一MN1的漏极连接,LDMOS耐压管二MN2的源极接地,其漏极与电流输出端连接,固定电平输入端用于输入固定电平VREF,电压输入端用于输入输入电压VIN,其通过运算放大器OP钳位电压可以输出一个与输入电压VIN成正比的电流,这个电流为后级延迟模块的充电电容提供偏置电流,从而产生一个时间延迟,该延迟与输入电压成反比。该电路常用于COT(Constant On-Time)控制结构的DC-DC开关电源电路,这种DC-DC开关电源电路可以对其输入电压变化拥有快速的瞬态响应,控制结构简单,电路功耗小,电压前馈电流产生电路作为重要的模拟单元是以上优点实现的基础。
但是,输入电压较大时存在以下问题:由于输入电压VIN和VREF的压差较大,会产生一个较大的输出电流,电路功耗增加。为了节省功耗,可以增加电阻R1的阻值,但是版图尺寸会限制电阻值。此外,图1所示电路在高输入电压时,也存在耐压问题:在实际版图中,电阻R1与芯片的衬底构成一个反偏的PN结,该PN结无法承受较高的电压;运算放大器OP的输入端也需要进行保护。
发明内容
本发明的目的是解决目前电压前馈电流产生电路耐压不够的问题,提供一种电压前馈电流产生电路。
本发明解决其技术问题,采用的技术方案是,电压前馈电流产生电路,包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端及固定电平输入端,其特征在于,还包括电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二,所述LDMOS耐压管一的漏极与电压输入端连接,其栅极与运算放大器的输出端连接,其源极与电流源的一端、运算放大器的负相输入端及LDMOS耐压管二的源极连接,电流源的另一端接地,LDMOS耐压管二的栅极与运算放大器的输出端连接,LDMOS耐压管二的漏极与增强型PMOS管一的漏极连接,且与增强型PMOS管一的栅极及增强型PMOS管二的栅极连接,增强型PMOS管一的源极及增强型PMOS管二的源极都与低压电源电压输入端连接,增强型PMOS管二的漏极作为电流输出端,运算放大器的正相输入端与固定电平输入端连接。
具体的,所述LDMOS耐压管一和LDMOS耐压管二相同。
本发明的有益效果是,通过上述电压前馈电流产生电路,可以看出,其电路结构简单,且功耗较小,节约版图面积,合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题。
附图说明
图1为传统的电压前馈电流产生电路的电路示意图;
图2为本发明的电压前馈电流产生电路的电路示意图;
图3为本发明实施例中电压前馈电流产生电路的仿真波形示意图;
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