[发明专利]存储设备及其操作方法

说明书

提供了一种存储设备及其操作方法。存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元。控制器在读取回收操作期间读取第一存储块的有效数据组并且将与有效数据组写入第二存储块中。控制器基于有效数据组的读取计数分配写入有效数据组的第二存储块的位置。

对相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2016年8月31日向韩国知识产权局提交的第10-2016-0111905号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体电路。更具体地，本公开涉及一种存储设备及其操作方法。

背景技术

存储设备是指在诸如计算机、智能电话和智能平板的主机设备的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在诸如硬盘驱动(HDD)的磁盘上的设备，或者将数据存储在诸如固态驱动(SSD)或存储卡的半导体存储器(特别是非易失性存储器)上的设备。

非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器设备、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

随着半导体制造技术的发展，存储设备的量增加。此外，随着半导体制造技术的发展，存储设备的集成度持续增加。存储设备的高集成度使得可以降低制造存储设备所需的成本。然而，存储设备的高集成度导致存储设备的规模缩小(scale down)和结构改变。因此，在高集成度下出现各种新问题。由于这些问题导致存储在存储设备中的数据的损坏，因此存储设备的可靠性可能降低。需要能够提高存储设备的可靠性的方法和设备。

发明内容

本公开的实施例提供了具有提高的可靠性的存储设备及其操作方法。

根据实施例，一种存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个具有连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元。在读取回收操作期间，控制器读取第一存储块的有效数据组并且将读取的有效数据组写入第二存储块中。控制器基于有效数据组的读取计数分配写入有效数据组的第二存储块的位置。

根据另一个实施例，一种包括非易失性存储器设备和控制器的存储设备的操作方法，包括：对写入非易失性存储器设备的第一存储块中的数据组的读取操作的数量进行计数；以及在读取回收操作期间，将写入第一存储块中的数据组复制到非易失性存储器设备的第二存储块。在读取回收操作期间，基于数据组的读取计数，分配数据组的位置。

根据另一个实施例，一种存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备具有第一存储块和第二存储块。控制器：(1)将累积读取干扰量归属到存储在第一存储块内的多个有效数据组中的每个，(2)识别有效数据组当中具有超过预定值的累积读取干扰量的第一有效数据组，(3)识别有效数据组当中具有不超过预定值的累积读取干扰量的第二有效数据组，(4)在读取回收操作期间并且响应于识别第一有效数据组，将第一有效数据组写入第二存储块内具有对读取干扰的第一敏感性程度的第一存储位置，以及(5)在读取回收操作期间并且响应于识别第二有效数据组，将第二有效数据组写入第二存储块内具有对读取干扰的第二敏感性程度的第二存储位置。对读取干扰的第二程度敏感度大于对读取干扰的第一敏感性程度。

附图说明

根据参考以下附图进行的以下描述，上述和其它目的和特征将变得明显，在以下附图中，除非另有说明，贯穿各图，相同的附图标记指代相同部件；以及，在附图中：

图1是示出根据本公开的实施例的存储设备的框图；