[发明专利]一种半导体激光器驱动装置

权利要求书

1.一种半导体激光器驱动装置，其特征在于，包括设有加速电路的驱动回路和由瞬时大电流放电回路构成的开关电路；所述驱动回路包括前置放大的MOS管M1以及信号输出的MOS管M2，并设有加速电路；所述开关电路包括作为开关和功率输出的MOS管M3以及瞬时大电流放电回路；

所述驱动回路由上述的MOS管M1、MOS管M2，以及电容C1、电阻R1、电阻R2组成，MOS管M1的栅极为输入端，MOS管M1的漏极与电阻R1以及MOS管M2的栅极相连接，用于放大信号去驱动MOS管M2，MOS管M1的源极接地，MOS管M2的源极接电源，MOS管M2的漏极作为驱动回路的输出端，其与电阻R2的一端相连接，并且与MOS管M3的栅极连接，以输出驱动信号，用于进一步放大驱动信号提高驱动能力，电阻R2的另一端接地；

所述开关电路由电容C2、MOS管M3、二极管D1以及电阻R3组成；电容C2作为储能元件，其一端与MOS管M3的漏极相连接，另一端与二极管D1相连接，用于产生驱动半导体激光器所需的瞬时大电流；MOS管M3的栅极与驱动回路的输出端相连，MOS管M3的源极接地且与二极管D1的另一端相连接，作为放电回路的开关，作为MOS管M3负载的电阻R3，其一端与MOS管M3的漏极相连接，另一端与电源连接；当MOS管M3导通时，放电回路工作，当MOS管截止时，放电回路停止工作；

所述加速电路由电容C1构成，当MOS管M2导通后电容C1迅速向MOS管M3栅极的结电容充电，提高了MOS管M3的导通速度从而提高了驱动能力；

电容C1的作用过程描述如下：当没有触发信号时，也就是INPUT为低电平时，MOS管M1、MOS管M2都处于截止状态，此时，C1的电压等于电源电压VD，处于储能状态；当有触发信号时，即INPUT为高电平时，MOS管M1导通，进而触发MOS管M2导通；MOS管M2导通后MOS管M3栅极电压降从0上升到VD，MOS管栅极存在结电容，电容C1储存的电量对结电容充电，由于电容C1的容量远大于MOS管M3的结电容容量，结电容瞬间即可被电容C1的电量充满，对应MOS管M3栅极电压上升的速度要远高于没有电容C1的情况。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其特征在于，所述瞬时大电流放电回路中，电容C2为NPO电容，MOS管M3为低内阻的高速功率管MOS管。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动装置，其特征在于，所述低内阻的高速功率MOS管M3的型号为DTS6400。