[发明专利]一种电容器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件制造技术领域，特别是一种电容器的制造方法。

背景技术

陶瓷电容器可以分为单层陶瓷电容器、片式多层陶瓷电容器及引线式多层陶瓷电容器，由于多层陶瓷电容器具有低ESR，耐高压、高温，体积小、电容量范围宽等特点，在成本和性能上都占据相当优势，下游应用较为广泛，其市场规模约占整个陶瓷电容器的93%。中国作为全球主要的消费性电子产品生产基地，已成为全球陶瓷电容器生产大国和消费大国，产销量位居全球前列。从陶瓷电容器产品的市场需求来看，其主要应用在航天、航空、船舰、兵器、电子对抗等军工类产品，系统通讯设备、工业控制设备、医疗电子设备、汽车电子、精密仪表仪器、石油勘探设备、轨道交通等工业类产品及笔记本电脑、数码相机、手机、录音录像设备等消费类产品。

随着半导体器件的临界尺寸进入次100nm 时代，对于传统的单晶体管单电容器结构，电容器的电容和可靠性起着越来越重要的作用。增大电容器电容的做法通常有两个，一个是增加电容器上下极板间的相对面积，另一个是减小电容器上下极板之间的距离。目前半导体制作工艺中更多的采用增加电容器上下极板间的相对面积的方法来增加电容。电容器具有储存能量的能力，因此被广泛应用在电子产品中。依照不同的介电材料，电容器可分为液态电容器与固态电容器，固态电容的介电材料一般为导电性高分子，而液态电容器的介电材料一般为电解液。液态电容器在长期使用下，电容器中的电解液会因为温度过热而导致膨胀，容易导致电容器破裂而产生漏液的问题，甚至发生因温度超过电解液沸点而造成爆炸的危险现象。电容器是由两块金属电极之间夹一层绝缘电介质构成。当在两金属电极间加上电压时，电极上就会存储电荷，所以电容器是储能元件。目前的电容电介质大多是氧化锌等陶瓷、云母、玻璃、塑料、金属氧化物。此类电容器介质耐压值不高、损耗大，影响到使用的安全性。

单层陶瓷电容器具有体积小、结构坚固、频率特性优异、电气性能稳定和可靠性高等优点，广泛应用于各种微波通讯电路中。单层陶瓷电容器加工一般要经过清洗、溅射、电镀和划切等几个工序，划切是单层陶瓷电容器制作的后道工序，是将整块电容基板通过划切工艺分割成单个电容单元的工艺过程。对于小尺寸陶瓷电容器在划切加工过程中刀片引起的崩裂和脱落风险会更大，一旦出现崩裂和脱落，将使整个电容基版电路报废，造成加工过程的失败。基片隐裂将严重影响单层陶瓷电容器的稳定性及可靠性，将对产品质量带来很大的隐患电容脱落是单层陶瓷电容器划切的又一难点。单层陶瓷电容器在划切过程中需要承受切刀的振动和划切冷却水的冲击。由于单层陶瓷电容划切尺寸小，粘接面积小，对粘接牢固度要求高。如果粘接不牢将直接引起电容划切脱落，造成划切废品。因此针对单层陶瓷电容器在加工划切过程中电容脱落、崩裂控制是加工制作的难点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种电容器的制造方法，本发明有效提高电容器的容量，提高了单层陶瓷电容的微波性能，提高了单层陶瓷电容器的划切成品率和切划质量。

本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案：

根据本发明提出的一种电容器的制造方法，包括以下步骤：

步骤一、提供陶瓷介质基片，对陶瓷介质基片进行水超声波清洗和有机溶剂超声波清洗，然后干燥；

步骤二、采用真空溅射的方法，在清洗后的陶瓷介质基片的上下表面溅射一层金属层；

步骤三、采用光刻方法，进行涂胶、前烘、显影和坚膜，在金属化后的陶瓷介质基片上制作出图案；

步骤四、将带有图案的陶瓷介质基片进行电镀、腐蚀和冲洗，使得陶瓷介质基片的上下表面形成多个形状相同的镀金层；从而得到待划切陶瓷电容基片；

步骤五、对待划切陶瓷电容基片进行清洗后，在陶瓷介质基片的下表面的镀金层上电镀一层镍，将陶瓷介质基片的镀镍的表面粘接到玻璃板上；

步骤六、待粘胶剂全固化后，采用划片机对陶瓷介质基片进行划切操作；

划切结束后将整块陶瓷电容浸泡到镍腐蚀溶液中，腐蚀去掉电镀的Ni层，这时划切好的单层陶瓷电容就会与粘胶剂分离，形成最终单片陶瓷电容器。

作为本发明所述的一种电容器的制造方法进一步优化方案，陶瓷介质基片的表面为光滑的。

作为本发明所述的一种电容器的制造方法进一步优化方案，陶瓷介质基片的介电常数为30-23000。

作为本发明所述的一种电容器的制造方法进一步优化方案，陶瓷介质基片的厚度为0.2mm。