[发明专利]液晶显示面板静电释放结构、液晶显示面板及液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）技术，特别涉及一种液晶显示面板静电释放结构、液晶显示面板及液晶显示器。

背景技术

在现有技术中，IPS（In-Plane Switching，平面转换）显示屏的表面必须有一层接地的屏蔽层，否则外界电场会影响液晶分子的翻转状态，导致显示不良；

另外，自容型incell显示屏（一种将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的显示屏）具有良好接地的屏蔽层，会彻底屏蔽掉盒内的触控信号，所以需在表面镀一层高阻屏蔽层，既能屏蔽低频的静电冲击，又能传输高频的触控信号；

由于高阻屏蔽层比ITO的阻抗大很多，在撕/覆保护膜时产生的静电或者ESD测试中产生的静电都难以消散，导致模组发绿，发白，发紫等颜色变化，通常在较长时间（如，10s）内难以消散。

为解决上述不足之处，通常采用如下手段：

其一，更换保护膜的供应商，但是，由于各厂商保护膜所用的材料表面阻抗都不一样，导致匹配的种类也不一样；

其二，增加银胶面积，加快静电的释放，但是，这样会增加工艺难度，出现溢胶风险较大，而且成本上升很大；而且无法用万用表量测银胶是否导通。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示面板静电释放结构、液晶显示面板及液晶显示器，可以加快静电的释放，对撕膜和覆膜产生的静电有很大改善。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种液晶显示面板静电释放结构，其用于贴装有高阻膜的液晶显示面板上，在所述液晶显示面板最上层的玻璃面板上覆盖有一层高阻膜，并在高阻膜周围预留有边缘，在所述玻璃面板预留的边缘上设置有一导电材料层，所述导电材料层与所述高阻膜四周相接触，所述导电材料层通过导电银胶与TFT基板的GND脚相连接。

其中，所述导电材料层是通过涂布或电镀的方式设置于所述玻璃面板的边缘上，所述导电银胶为两段，分别将TFT基板的两个GND脚与导电材料层的不同位置相连接。

其中，所述导电材料层的方阻小于或等于1K欧姆。

其中，所述玻璃面板至少要完全覆盖液晶显示面板的AA区（Active Area，可操作区）。

相应地，本发明实施例还提供一种液晶显示面板，其至少包括：TFT基板、与所述TFT基板相对设置的CF（color filter，彩色滤光片）基板、及位于所述TFT基板与CF基板之间的液晶层；其中所述CF基板最外层为一玻璃面板，在所述玻璃面板上贴装有一层高阻膜，在所述玻璃面板覆盖有高阻膜的周围均预留有边缘，在所述玻璃面板预留的边缘上设置有一导电材料层，所述导电材料层与所述高阻膜的四周相接触，所述导电材料层通过导电银胶与TFT基板的GND脚相连接。

其中，所述导电材料层是通过涂布或电镀的方式设置于所述玻璃面板的边缘上，所述导电银胶为两段，分别将TFT基板的两个GND脚与导电材料层的不同位置相连接。

其中，所述导电材料层的方阻小于或等于1K欧姆。

其中，所述玻璃面板至少要完全覆盖液晶显示面板的AA区。

相应地，本发明实施例的再一方面，还提供一种采用前述液晶显示面板的TFT液晶显示器。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

根据本发明的实施例，通过在覆盖玻璃面板的高阻膜的周围设置一导电材料层，并将该导电材料与TFT基板的GND脚电连接，可以增大与高阻膜的接触面积，能够加快静电的释放，对撕膜和覆膜产生的静电有很大改善，从而提高液晶显示面板的抗静电能力；

另外，可以很方便地对导电银胶的导通状况进行测量，增加了维护的便利性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是根据本发明一个实施例的液晶显示面板静电释放结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。