[发明专利]一种显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板。

背景技术

显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，主动开关显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，主动开关显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括第二基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和主动开关第一基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。显示面板的显示亮度根据环境调节自动调节效果不好。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种根据环境亮度自动调节显示亮度更好的显示面板。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种显示面板，包括第一基板，所述第一基板包括：

第一基板；

第二基板，所述第二基板相对所述第一基板设置；

主动开关，所述主动开关设置在所述第二基板上，所述主动开关包括导电沟道；

像素，所述像素设置在所述第二基板上，并与所述主动开关耦接；

彩色滤光层，形成于所述第二基板上，对应于所述像素位置；

遮光层，所述遮光层设置在第一基板上，所述遮光层对应所述主动开关的导电沟道设置，所述遮光层遮住所述主动开关导电沟道，所述遮光层采用导电材料制成；

控制芯片，与所述遮光层耦合，用于调节显示面板亮度；

光传感器，所述光传感器设置在第一基板和遮光层之间。

其中，所述光传感器包括光电二极管。

光电二极管的PN结的面积相对较大，以便接收入射光，光电二极管没有光照时反向电流极其微弱，有光照时，反向电流迅速增大，反应灵敏。

其中，所述光传感器包括光电二极管。

光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。

其中，所述第一基板还包括透明导电层，所述光传感器设置在透明导电层和遮光层之间。

不影响第一基板原先的设计，透明导电层不影响光传感器对入射光的获取。

其中，所述第一基板还包括透明导电层，所述光电二极管设置在透明导电层和遮光层之间，所述遮光层包括金属黑矩阵，所述金属黑矩阵耦合所述控制芯片耦合，所述透明导电层和金属黑矩阵为光电二极管的两侧电极。

第一基板的透明导电层(ITO共电极)和金属黑矩阵BM为光电二极管的两侧电极，金属黑矩阵BM电极接入控制芯片，遮光层与第二基板之间设置液晶，增加光电二极管对显示面板厚度影响几乎没有影响，利用现有的透明导电层(ITO共电极)和金属黑矩阵BM为光电二极管的两侧电极，改动小，易于实现。

其中，所述光电二极管包括三层半导体层，所述三层半导体层的第一层半导体层外侧直接连接透明导电层，所述三层半导体层的第三层半导体层外侧直接连接金属黑矩阵，所述三层半导体层宽度小于金属黑矩阵。

光电二极管在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区，这样PN结的内电场就基本上全集中于I层中。在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，故称I层，因此这种结构成为光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。使光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。