[发明专利]顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法

说明书

本发明涉及一种顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法。该顶发射AMOLED像素电路包括：第一薄膜晶体管(T1)，连接第一节点(G)，第二节点(S)和第三节点(D)；第二薄膜晶体管(T2)，连接扫描信号(Scan)，第一节点(G)和数据信号(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，连接扫描信号(Scan)，第二节点(S)和参考电压(Ref)；第四薄膜晶体管(T4)，连接扫描信号(Scan)，第三节点(D)和电源高电压(Data2)；第一电容(Cst)连接第一节点(G)和第二节点(S)；第二电容(C)连接第三节点(D)和参考电压(Ref)；OLED连接第二节点(S)和电源低电压(VSS)；该电源高电压(Data2)与电源低电压(VSS)之间的差值保持不变。本发明还提供了相应的驱动方法。本发明可以有效缓解透明阴极阻抗增大引起的IR压降。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法。

背景技术

作为新一代显示技术，有机发光二极管(OLED)显示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、宽视角、高响应速度等优点，因此备受市场的青睐。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED按照光出射方向的不同，可以分为两种结构：一种是底发射型，另一种是顶发射型。顶发射型OLED所发出的光是从器件的顶部出射，能有效的提高开口率。

大尺寸高解析度AMOLED面板的开发是未来的发展方向，随着解析度的增加，会极大的压缩底发射AMOLED的开口区，故急需开发顶发射架构，而目前大尺寸顶发射AMOLED面板的透明阴极阻抗非常大，引起严重的IR压降(Drop)问题。

参见图1，其为传统AMOLED的3T1C像素电路示意图，主要包括3个薄膜晶体管T1～T3，一个电容Cst，该像素电路驱动过程主要由信号Scan的时序控制，薄膜晶体管T1为驱动TFT，用于驱动OLED，控制通过OLED的电流。

该传统AMOLED的3T1C像素电路工作过程如下：当Scan给高电位时，T2，T3打开，节点G写入数据信号Data，节点S写入参考电压Ref(＜OLED开启电压)，Vgs＝Data－Ref，此时OLED不发光；当Scan给低电位时，T2，T3关闭，节点S被电源高电压VDD充电至V_Anode，节点G被耦合(Couple)至Data+V_Anode－Ref，此时Vgs＝Data－Ref，OLED开始发光。T1作为驱动TFT，需工作在饱和区，即需要满足Vgs－Vth＜VDD－V_Anode，其中Vth为T1的阈值电压。对于大尺寸顶发射AMOLED面板，如电源低电压VSS受限于透明阴极高阻抗影响，出现较大的IR压降，则VSS上升导致V_Anode上升，T1工作在线性区，现有像素电路失效。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种顶发射AMOLED像素电路，解决电源低电压VSS电压抬升引起的电路失效问题。

本发明的另一目的在于提供一种顶发射AMOLED像素电路的驱动方法，解决电源低电压VSS电压抬升引起的电路失效问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种顶发射AMOLED像素电路，包括：

第一薄膜晶体管，其栅极连接第一节点，源极和漏极分别连接第二节点和第三节点；

第二薄膜晶体管，其栅极连接扫描信号，源极和漏极分别连接第一节点和数据信号；

第三薄膜晶体管，其栅极连接扫描信号，源极和漏极分别连接第二节点和参考电压；