[发明专利]顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法有效
| 申请号： | 201710736699.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107393477B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 韩佰祥 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 amoled 像素 电路 及其 驱动 方法 | ||
1.一种顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，包括：
第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第一节点(G)，源极和漏极分别连接第二节点(S)和第三节点(D)；
第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描信号(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和数据信号(Data1)；
第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描信号(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(S)和参考电压(Ref)；
第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描信号(Scan)，源极和漏极分别连接第三节点(D)和电源高电压(Data2)；
第一电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(G)和第二节点(S)；
第二电容(C)，其两端分别连接第三节点(D)和参考电压(Ref)；
OLED，其阳极连接第二节点(S)，阴极连接电源低电压(VSS)；
其中，该电源高电压(Data2)根据电源低电压(VSS)确定，该电源高电压(Data2)与电源低电压(VSS)之间的差值保持不变，该参考电压(Ref)小于OLED的开启电压。
2.如权利要求1所述的顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，该扫描信号(Scan)的时序配置为包括补偿阶段，以及发光阶段。
3.如权利要求2所述的顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，在补偿阶段，该扫描信号(Scan)为高电位。
4.如权利要求2所述的顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，在发光阶段，该扫描信号(Scan)为低电位。
5.如权利要求1所述的顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，该参考电压(Ref)保持不变。
6.如权利要求1所述的顶发射AMOLED像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)，第二薄膜晶体管(T2)，第三薄膜晶体管(T3)，以及第四薄膜晶体管(T4)为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物半导体薄膜晶体管。
7.一种如权利要求1所述的顶发射AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：该扫描信号(Scan)的时序配置为包括补偿阶段，以及发光阶段。
8.如权利要求7所述的顶发射AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于，在补偿阶段，该扫描信号(Scan)为高电位。
9.如权利要求7所述的顶发射AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于，在发光阶段，该扫描信号(Scan)为低电位。
10.如权利要求7所述的顶发射AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于，该参考电压(Ref)保持不变。
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