[发明专利]一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤

(1)、将晶体硅原片放入质量百分比1-5％HF的溶液中去除SiO₂层，清洗后再用去离子水清洗3～5次，再将硅片吹干待用；

(2)将上述处理后的硅片放入含有金属离子、氧化剂和化学腐蚀剂的第一化学腐蚀溶液中，在硅片表面形成纳米结构绒面；所述氧化剂为HNO₃，浓度为0.01～15mol/L；所述化学腐蚀剂为HF，浓度为1～20mol/L；反应时间为30～300秒；

(3)将硅片在去离子水中清洗10～300s，清洗温度为5～90℃；

(4)将硅片放入第二化学腐蚀液中，进行微纳米结构的修正刻蚀；

所述步骤(4)中的第二化学腐蚀液为NaOH溶液、KOH溶液、四甲基氢氧化铵溶液、HNO₃与HF的混合溶液中的任意一种；

当所述第二化学腐蚀液为NaOH溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；

当所述第二化学腐蚀液为KOH溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；

当所述第二化学腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；

当所述第二化学腐蚀液为HNO₃与HF的混合溶液时，HF与HNO₃的浓度分别为0.01～1mol/L、1～10mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～50℃；

(5)将上述硅片在去离子水中清洗并烘干，即可得到晶体硅太阳能电池的绒面结构。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电磁表面微纳米结构的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述金属离子为金离子、银离子、铜离子和铁离子中的任意一种，所述金属离子的浓度为0.0001～0.1mol/L。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电磁表面微纳米结构的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中晶体硅清洗的时间为30～300秒，清洗温度为5～50℃。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法，其特征在于：所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。