[发明专利]一种Pd/NiAl金属氧化物膜电极及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710723518.1 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107459115B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 胡承志;董晶晶;王婷;刘会娟;曲久辉;刘锐平;兰华春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院生态环境研究中心 |
| 主分类号： | C02F1/469 | 分类号： | C02F1/469;C02F101/16;C02F101/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pd nial 金属 氧化物 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种Pd/NiAl金属氧化物膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)泡沫镍的预处理：将泡沫镍经酸洗和乙醇洗后烘干处理；
2)Pd/NiAl-LDHs膜电极的制备：配制NiCl2、AlCl3、PdCl2，混合后得到混合液A；配制NaOH、NaCO3，混合后得到混合液B；将混合液B加入混合液A中调制混合液A的pH9.5～10.5；将调过pH后的混合液加入反应釜中，将步骤1)预处理后的泡沫镍置入反应釜进行80～120℃原位水热反应8～12h，将反应后的泡沫镍干燥处理后得到Pd/NiAl-LDHs膜电极；
3)Pd/NiAl金属氧化物膜电极的制备：将步骤2)制得的Pd/NiAl-LDHs膜电极煅烧，所述煅烧是在管式炉中进行的，所述煅烧分两段进行，第一段煅烧是在N2气氛中进行的，所述第一段煅烧的温度为400～600℃，所述第一段煅烧的时间为3～5h；第二段煅烧是在H2气氛中进行的，所述第二段煅烧的温度为200～300℃，所述第二段煅烧的时间为2～4h，制得Pd/NiAl金属氧化物膜电极；
所述Pd/NiAl金属氧化物膜电极中，所述Pd的质量占所述Pd/NiAl金属氧化物膜电极质量的1％～10％；所述Ni、Al的摩尔比为(1～5):(1～3)。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述酸洗是在盐酸中进行的超声清洗，所述盐酸的质量分数为0.5～2％，所述酸洗的时间为10～20min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述乙醇洗是在乙醇中进行的超声清洗，所述乙醇洗的时间为10～20min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述烘干的温度为50～70℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述原位水热反应是将反应釜置于烘箱中进行的。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述干燥是在烘箱中进行的，所述干燥的温度为50～70℃，所述干燥的时间为10～15h。
7.一种采用权利要求1-6任一项所述的制备方法得到的Pd/NiAl金属氧化物膜电极。
8.一种采用Pd/NiAl金属氧化物膜电极去除酸根离子的方法，其特征在于，所述方法为：以权利要求7所述的Pd/NiAl金属氧化物膜电极作为工作电极，以活性炭纤维作为对电极，将所述工作电极和所述对电极置于酸盐溶液中，施加电压进行酸根离子的去除。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述Pd的质量占所述Pd/NiAl金属氧化物膜电极质量的1％～10％。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电压为0.5～3.5V。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述工作电极与所述对电极之间的距离为1～3cm。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述酸根离子为硝酸根离子、溴酸根离子或高氯酸根离子。
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