[发明专利]一种自动回复稳定超疏水状态的装置及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710708502.3 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN109399548A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 王伟强;朴禹滈 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00;H01M6/00;H01M6/04
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 微阵列结构 电极 超疏水状态 原电池反应 自动回复 制备 超疏水表面 电解液浸润 超疏水表 超疏水性 导线连接 电极接触 电极上将 设置方式 外部能源 外界能量 重要意义 自动保持 电解液 疏水性 亲水 疏水 并用 应用
【权利要求书】:

1.一种自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,该装置包括:一微阵列结构,为设置在基板上,且阵列之间设有用于截留气体的空间;还包括设置在基板上用于电解液中产生气体的气体产生器,气体产生器设置在微阵列结构中用于截留气体空间的底部,且每个微阵列结构的单元均对应设有气体产生器。

2.根据权利要求1所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的基板和阵列的的制作材料为疏水性聚四氟乙烯。

3.根据权利要求1所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的气体产生器包括:用导线连接的一对电极,用于在电解液中产生所需气体。

4.根据权利要求3所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的一对电极由两种电位不同的材料组成电极,该两个电极都嵌入到微阵列结构的空间底部,并用导线连接。

5.根据权利要求3所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的一个电极嵌入到微阵列结构的空间底部中,另一个电极设置在基板外的电解液中,并用导线连接;其中嵌入到微阵列结构的空间底部的电极电位要低于设置在电解液中的电位,从而保证在微阵列结构的空间底部中产生气体。

6.根据权利要求3所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的电极可为线状排列也可为网状排列。

7.根据权利要求1所述的自动回复稳定超疏水状态的装置,其特征在于,所述的微阵列结构为条纹状、圆柱状、沟槽状或脊状。

8.一种基于权利要求1-7的自动回复稳定超疏水状态的装置的制备方法,包括:

第一,在基板上镀一层网状或线状导电电极。

第二,将模具压在基板上,加热并提供压力使基板的材料充满模具腔体内部,然后将模具与基板分离;

第三,去除挤压成型以后覆盖在电极上面的基板材料,使电极顶部裸露,制得自动回复稳定超疏水状态的装置。

9.根据权利要求8所述的自动回复稳定超疏水状态的装置的制备方法,所述的模具根据微阵列结构的具体形状为多种腔形。

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