[发明专利]存储器件及其操作方法

说明书

一种存储器件包括：多个字线；多个位线；多个存储单元，每个存储单元耦接到多个字线之中的对应字线以及多个位线之中的对应位线；以及控制块，其适用于控制多个字线之中的至少两个字线一起被激活，以及基于与激活的字线相对应的位线的电压来判断是否存在弱单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月17日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0134238号的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种存储器件及其操作方法。

背景技术

通常，由用作开关的晶体管和储存电荷(即，数据)的电容器构成诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件的存储单元。根据存储单元的电容器中是否存在电荷(即，电容器的端子的电压是高还是低)来识别数据为“高”(逻辑1)或“低”(逻辑0)。

原则上，由于以在电容器中累积电荷的方式来实现数据的储存，所以数据的储存不消耗功率。然而，由于储存在电容器中的电荷的初始量因由金属氧化物半导体(MOS)晶体管等的PN耦合引起的泄漏电流而消失，因此数据可能会丢失。为了防止这种情况，在数据丢失之前应该读取存储单元中的数据，并且正常量的电荷应基于读取的信息而被再充电。只有当这样的操作被周期性地重复时，才能保留数据的储存。这种用于再充电单元电荷的过程被称为刷新操作。

每当刷新命令从存储器控制器被传输至存储器时，执行刷新操作。存储器控制器通过考虑存储器的数据保持时间来以预定的时间间隔将刷新命令传输到存储器。例如，如果存储器的数据保持时间为64ms，并且当刷新命令被接收8000次时可以刷新存储器中的整个存储单元，则存储器控制器将刷新命令传输到存储器8000次为64ms。

在存储器件的测试过程中，如果包括在存储器件中的一些存储单元的数据保持时间不超过预定的参考时间，则对应的存储器件被处理为故障。以这种方式被处理为故障的存储器件应该被丢弃。

如果包括具有不超过参考时间的数据保持时间的存储单元(即，弱单元)的所有存储器件都被处理为故障，则存储器件的产量不得不下降。此外，尽管存储器件已通过测试，但是如果弱单元由于后面的因素而被引入，则可能会发生错误。

此外，由于至少数千万个单元被集成在一个芯片中的事实而导致超高集成度，所以可以提及的是，即使制造工艺先进，存在弱单元的概率也会增加。如果对这样的弱单元没有精确地进行测试，则可能难以确保半导体存储器件的可靠性。因此，正在研究用于检测弱单元的各种方案和方法。

发明内容

各种实施例针对缩短检测弱单元所需的测试时间的存储器件及其操作方法。

在一个实施例中，存储器件可以包括：多个字线；多个位线；多个存储单元，每个存储单元耦接到多个字线之中的对应字线以及多个位线之中的对应位线；以及控制块，其适用于控制多个字线之中的至少两个字线一起被激活，以及基于与激活的字线相对应的位线的电压来判断是否存在弱单元。

在一个实施例中，用于操作包括多个字线、多个位线以及多个存储单元的存储器件的方法，每个存储单元耦接到多个字线之中的对应字线以及多个位线之中的对应位线，该方法可以包括：一起激活多个字线之中的至少两个字线；在耦接到激活的字线和位线的存储单元之中的耦接到同一位线的存储单元之间共享电荷；以及基于与激活的字线相对应的位线的电压低于参考电压，确定在耦接到激活的字线的存储单元之中存在弱单元，而当与激活的字线相对应的位线的电压等于或高于参考电压时，确定在耦接到激活的字线的存储单元之中不存在弱单元。

在一个实施例中，存储器件可以包括：第一字线组至第n字线组(其中n是自然数)，每个字线组包括至少两个字线；以及控制块，其适用于控制第一字线组至第n字线组被顺序激活，以及基于与激活的字线组相对应的位线的电压来判断在耦接到激活的字线组的存储单元之中是否存在弱单元。

附图说明