[发明专利]一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法在审
申请号: | 201710695760.2 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107546329A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 陈东进 | 申请(专利权)人: | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 钙钛矿型 太阳电池 光吸收 制备 方法 | ||
1.一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将氯化亚锡、乙二醇、三乙醇胺混合搅拌至固体溶解,制得混合溶液A;
(2)将硫化钠和乙二醇混合搅拌至固体溶解,制得溶液B;
(3)将溶液B滴加到混合溶液A中,边滴加边搅拌,滴加结束后,继续搅拌30min,然后在3000-6000rpm的转速下离心30min,沉淀用无水乙醇离心洗涤3-5次,洗涤后的固体和极性溶剂、硅烷偶联剂混合,500-1000W功率下超声分散20-50min,得到的分散液在3500rpm下离心,离心后取上清液,得到低浓度的SnS纳米晶分散液;
(4)向上述制得的SnS纳米晶分散液中加入PbI2和CH3NH3I,搅拌均匀,缓慢升温至60℃,恒温搅拌12-24h,得到光吸收层的前驱体溶液;
(5)将上述制得的光吸收层的前驱体溶液旋涂在有多孔层的导电玻璃基底上,然后放在加热台上100℃下处理10min,自然冷却,制得钙钛矿型太阳电池光吸收层。
2.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,氯化亚锡、乙二醇、三乙醇胺的质量比为(0.065-0.082):(20-24):(4-5)。
3.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述溶液B的浓度为8mg/L。
4.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,溶液B的滴加速度为0.5-1.5mL/min。
5.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述搅拌的转速为2000-6000转/分。
6.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述固体和硅烷偶联剂的质量比为3:(0.005-0.015)。
7.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:所述极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、乙腈、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种混合。
8.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述SnS纳米晶分散液的浓度为3-8mg/L。
9.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,所述SnS纳米晶、PbI2的质量比为(0.1-1):4。
10.如权利要求1所述的一种新型钙钛矿型太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于:步骤(5)中,所述旋涂的条件为:旋涂转速为2000-5000rpm,旋涂时间为20-50s,静置时间为5-20min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市联洲知识产权运营管理有限公司,未经东莞市联洲知识产权运营管理有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710695760.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种NK细胞体外培养方法
- 下一篇:蓝光在影响神经干细胞增殖分化中的应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择