[发明专利]输出存储装置的内部状态的装置和使用其的存储系统有效
申请号: | 201710695642.1 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107767913B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 禹成勋;金学善;李光振;全秀昶 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 存储 装置 内部 状态 使用 存储系统 | ||
提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括:状态信号生成电路,生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号;以及状态信号输出控制电路,接收第一信号,并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态,并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年8月16日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0103752号韩国专利申请的优先权的权益,其公开内容通过引用全文合并于此。
技术领域
与本公开一致的装置和存储系统涉及一种存储系统的接口装置和方法,更具体地,涉及一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。
背景技术
在包括一个或多个非易失性存储装置的存储系统中,存储控制器检查非易失性存储装置中的每个的诸如就绪/忙碌状态的内部状态,以便控制非易失性存储装置。具体地,在包括多路径的存储系统中,与存储控制器根据多路径检查内部状态所需的读取/忙碌引脚对应的焊盘的数量增加。因此,需要用于检查非易失性存储装置中的每个的内部状态、同时减少存储控制器的焊盘的数量和提高I/O速度的技术。
发明内容
一方面提供一种用于快速识别和输出存储装置中的每个的内部状态、同时减少包括多路径的存储系统中的控制器的焊盘的数量的装置。
另一方面提供一种用于快速确定多路径的存储装置中的每个的内部状态、同时减少控制器的焊盘的数量的存储系统。
根据示例性实施例的一方面,提供了一种用于输出存储装置的状态信号的装置,所述装置包括:状态信号生成电路,被配置为生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号;以及状态信号输出控制电路,被配置为接收所述第一信号,并且基于芯片使能信号和初始设置的功能命令中的至少一个将第二信号输出到输出焊盘,其中,第一信号指示两个状态中的一个状态,并且第二信号指示三种状态中的一种状态。
根据示例性实施例的另一方面,提供了一种存储系统,包括:多个存储芯片,每个存储芯片中布置有至少一个第一状态输出引脚;以及存储控制器,其中布置有第一状态输入引脚,所述第一状态输入引脚以线与配置连接到布置在多个存储芯片中的至少一个第一状态输出引脚,所述存储控制器被配置为将芯片使能信号和初始设置的功能命令中的至少一个发送到多个存储芯片,其中,所述多个存储芯片中的每个基于芯片使能信号和初始设置的功能命令中的至少一个,将根据第一内部操作状态具有三个逻辑电平中的一个电平的第一状态信号输出到第一状态输出引脚。
根据示例性实施例的另一方面,提供了一种存储系统,包括:多个存储装置,存储装置中的每个包括第一状态输出引脚;以及存储控制器,耦合到所述存储装置的第一状态输出引脚,所述存储控制器被配置为将芯片使能信号和初始设定的功能命令中的至少一个发送到多个存储芯片中的每个,其中,响应于接收到芯片使能信号和初始设置的功能命令中的至少一个的使能信号,存储装置将基于存储装置的第一内部操作状态的第一状态信号输出到存储装置的第一状态输出引脚,并且响应于接收到芯片使能信号和初始设置的功能命令中的至少一个的禁用信号,存储装置输出高阻抗状态。
附图说明
将从结合附图的以下详细描述中更清楚地理解本发明构思的示例性实施例,附图中:
图1是示出存储器的配置的图;
图2是示出用于说明在图1的存储系统中确定多路径的存储装置中的每个的内部状态的操作的信号的波形的图;
图3是示出另一存储系统的配置的图;
图4是用于说明在图1的存储系统中通过使用状态读取命令确定多路径的存储装置中的每个的内部状态的操作的时序图;
图5是示出根据示例性实施例的用于说明生成多路径的存储装置中的每个的状态信号的方法的信号的波形的图;
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