[发明专利]一种纳米电极、其制备方法和应用在审
申请号: | 201710676336.3 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN109390481A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 刘佳;曹蔚然;梁柱荣 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能化氧化石墨 纳米电极 活性官能团 电极材料 制备方法和应用 氧化石墨烯 漏电 产品性能 发光效率 电极层 附着性 平整性 应用 | ||
本发明提供了一种纳米电极,包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯,且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。所述纳米电极中含有功能化氧化石墨烯,所述功能化氧化石墨烯含有活性官能团,因此,可以有效提高电极材料的附着性和电极层的平整性,提高产品性能,并减少漏电,增加发光效率,有利于CNTs、AgNWs作为电极材料应用。
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,尤其涉及一种纳米电极、其制备方法和应用。
背景技术
半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质,被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展,量子点合成技术取得了显著的成绩,可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料,其光致发光效率可以达到85%以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点,以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点,近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展,QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看,目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20%,表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100%的极限。然而,作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED,目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上,都远低于红绿QLED,从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。
传统透明导电电极ITO中,含有微量元素In,In在地球上的含量极少,所以面临资源紧张问题,故取代ITO而成为透明导电电极的研究越来越受到研究者的青睐,比如:碳纳米管(CNTs)或银纳米线(AgNWs)。由于具有很好的导电特性和透光性,CNTs或AgNWs有很大的潜力应用于透明导电电极。但是,由于CNTs或AgNWs在玻璃基板上的附着力较差,大大影响了其导电性和平整性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米电极及其制备方法,旨在解决现有技术采用CNTs或AgNWs作为电极材料时附着力差,导致电极导电性和平整性不好的问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述纳米电极的QLED器件。
本发明是这样实现的,一种纳米电极,包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯,且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。
相应的,一种纳米电极的制备方法,包括以下步骤:
提供修饰剂材料和氧化石墨烯,将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应,制备功能化氧化石墨烯;
将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理,得到纳米电极复合材料;
将所述纳米电极复合材料沉积在基板上,制备得到纳米电极。
一种纳米电极的制备方法,包括以下步骤:
提供修饰剂材料和氧化石墨烯,将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应,制备功能化氧化石墨烯;
提供基板,在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯,制备功能化氧化石墨烯层;
在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层,其中,所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
以及,一种QLED器件,包括依次结合的阳极、量子点发光层和阴极,所述阳极和/或所述阴极为上述的纳米电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择