[发明专利]SRAM芯片地址引脚线短路检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种SRAM芯片线路检测，更具体地说，涉及一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法。

背景技术

SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。申请号为201410848838.6中国专利文献公开了一种SRAM的现有检测方法，该方法只能识别SRAM芯片引脚焊接不良如未焊接或虚焊的故障情况，不能检测地址引脚线之间的短路(焊锡将相邻引脚粘连)的情况。申请号为201610298683.2中国专利文献公开了另一种SRAM的现有检测方法，该方法需要借助外部装置才能检测，而且不能精确定位故障引脚，只能判断SRAM正常或异常，并需要全片SRAM读写，时间较长。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题，而提供一种能够快速精确定位SRAM芯片短路的地址引脚线的SRAM芯片地址引脚线短路检测方法。

本发明为实现其目的的技术方案是这样的：提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：根据SRAM芯片地址引脚的排列特性，列出地址引脚间可能短路的待检引脚组；

S2：根据电路的编址规则，获得SRAM芯片的起始地址，并确定所有与待检引脚组相对应的相关地址；每个相关地址中除了与该相关地址对应的待检引脚组之外的其他地址引脚赋值均为0且待检引脚组中所有地址引脚赋值不全相同；

S3：依次向所有相关地址中写入与起始地址中数据不同的校验数据，比较校验数据写入前后起始地址中的数据，若起始地址中的数据发生变化则与该对应相关地址的待检引脚组中引脚间具有短路故障，即每次向相关地址中写入校验数据之后读取起始地址中的数据值并与向相关地址中写入校验数据之前的起始地址中数据进行比较，若向相关地址中写入校验数据之前的起始地址中数据与向相关地址中写入数据之后的起始地址中数据相同，则与该相关地址对应的待检引脚组中各引脚之间为短路连接。

上述SRAM芯片地址引脚线短路检测方法中，每个待检引脚组包括两个相邻的地址引脚。

上述SRAM芯片地址引脚线短路检测方法中，列出的待检引脚组包括由两个至六个依次相邻地址引脚组成的待检引脚组，也即包括由两个相邻地址引脚组成的待检引脚组、三个依次相邻地址引脚组成的待检引脚组、四个依次相邻地址引脚组成的待检引脚组、五个依次相邻地址引脚组成的待检引脚组、六个依次相邻地址引脚组成的待检引脚组。

上述SRAM芯片地址引脚线短路检测方法中，步骤S3中，每次向相关地址中写入校验数据之前都向起始地址中写入数据，写入到起始地址中的数据与写入到各相关地址中的校验数据均不相同。例如写入到起始地址中的数据值为0，写入到各相关地址中的数据为非0值，写入到各相关地址中的数据值可以相同，也可以不同。

上述SRAM芯片地址引脚线短路检测方法中，起始地址中的数据、写入到各相关地址中的各数据均不相同。

本发明与现有技术相比，本发明可以检测地址线引脚线是否短路，检测速度较快且精确，提高了SRAM的检测效率。

附图说明

图1是本发明中SRAM芯片地址引脚线短路检测方法的流程图。

图2是本发明中SRAM芯片的地址引脚分布图。

图3是本发明中SRAM芯片的相邻两路地址引脚间可能短路的所有待检引脚组列表。

图4是本发明中SRAM芯片的两路短路待检引脚组与对应相关地址的计算列表。

图5是本发明中SRAM芯片的地址引脚间所有短路可能的待检引脚组列表。

图6是本发明中SRAM芯片的所有短路可能的待检引脚组与对应相关地址的计算列表。

具体实施方式

下面结合附图说明具体实施方案。

如图1所示，本实施例中的SRAM芯片地址引脚线短路检测方法包括如下步骤：