[发明专利]纳米晶-配体复合物、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述纳米晶-配体复合物包括纳米晶以及两种与所述纳米晶形成表面配位的配体，所述配体为一元或多元羧酸配体，两种所述配体为C链长度差为4~8的直链羧酸配体，所述两种配体分别为短链配体和长链配体，所述短链配体的C链长度为10~14，所述长链配体的C链长度为18~22，所述长链配体为不饱和脂肪酸，所述纳米晶为核壳量子点，所述核壳量子点的量子点核的平均直径大小是所述量子点核组成材料的空穴或电子的最小波尔直径的1.6倍以上。

2.根据权利要求1所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述短链配体为十二酸或十四酸，且所述长链配体为油酸。

3.根据权利要求1所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点的荧光半峰宽小于等于65meV，且所述核壳量子点的结构为闪锌矿结构。

4.根据权利要求3所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点为无层错闪锌矿结构晶体。

5.根据权利要求1所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点的量子点核的平均直径大小是所述量子点核组成材料的空穴或电子的最小波尔直径的2倍以上。

6.根据权利要求5所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点的量子点核的平均直径大小是所述量子点核组成材料的空穴或电子的最小波尔直径的2.8~8.4倍。

7.根据权利要求5所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点为II-VI族量子点。

8.根据权利要求7所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点为CdSe/CdS。

9.根据权利要求7所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点的核为六面体，所述核壳量子点为球体；或所述核壳量子点的核为六面体，所述核壳量子点为六面体；或所述核壳量子点的核为球体，所述核壳量子点为六面体；或所述核壳量子点的核为球体，所述核壳量子点为球体。

10.根据权利要求5所述的纳米晶-配体复合物，其特征在于，所述核壳量子点的荧光量子产率大于等于90%，荧光寿命单指数衰减曲线的拟合优度χ_R²范围为大于1且小于1.3。

11.一种如权利要求1至10中任一项所述的纳米晶-配体复合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将带有第一配体的纳米晶与至少一种羧酸配体进行配体交换，形成所述纳米晶-配体复合物。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述配体交换发生在纳米晶的核生长阶段、或者纳米晶的壳生长阶段或者纳米晶制备完毕后处理阶段。

13.一种组合物，包括纳米晶材料，其特征在于，所述纳米晶材料为权利要求1至10中任一项所述的纳米晶-配体复合物。

14.一种光电器件，包括纳米晶材料，其特征在于，所述纳米晶材料为权利要求1至10中任一项所述的纳米晶-配体复合物。

15.一种光学器件，包括纳米晶材料，其特征在于，所述纳米晶材料为权利要求1至10中任一项所述的纳米晶-配体复合物。