[发明专利]用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法在审

专利信息
申请号: 201710659806.5 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN107462817A 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 钱克猷;江传桂 申请(专利权)人: 钱克猷;江传桂
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 邱启旺
地址: 310020 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 污秽 温度 含水量 检测 绝缘子 状态 方法
【权利要求书】:

1.一种用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)出厂前输入计算需要的函数或常数:σ=fσ(ya)、β=β1(T,w)、gV=fg(ya)、yc=fyc(σ);其中,σ=fσ(ya)表示污层表面电导率σ关于等效转移导纳ya的函数,yc=fyc(σ)表示等效转移导纳yc关于表面电导率σ的函数,β=β1(T,w)表示电导率转换函数β关于污层温度T和污层含水量w的函数,gV=fg(ya)表示等效电导gV关于等效转移导纳ya的函数,ya为由场域中截面a中的电流Ia与绝缘子电压U的比值所确定的等效转移导纳,与污层的表面电导率σ有一一对应关系,yc为由场域中截面c中的电流Ic与绝缘子电压U的比值所确定的等效转移导纳,与污层的表面电导率σ有一一对应关系;截面a和截面c是任意的两个不同的截面。

(2)在线测定污层温度T、污层含水量w、流过截面a的电流Ia、流过截面c的电流Ic

(3)将ya用Ia*fyc(σ)/Ic表示,并代入函数σ=fσ(ya)中,得σ=fσ(Ia*fyc(σ)/Ic)方程,进一步解该方程得绝缘子当前实测的表面电导率σ。

(4)用污层温度T、污层含水量w查函数β=β1(T,w)得电导率转换函数β值。

(5)将步骤(3)获得的σ除以电导率转换函数β,就可以得到在标准测量条件(Ts,ws)下的绝缘子污层表面电导率σs;其中ws为最大含水量,即污层流淌之前的含水量;Ts为一个规定值,在(Ts,ws)下绝缘子表面电导率有最大值。

(6)设定一个标准测量条件(Ts,ws)下绝缘子清洗临界表面电导率σ0

(7)绝缘子污秽状态的检测值D为D=σs0,用D或D的平均值来表征绝缘子的污秽状态。

2.根据权利要求1所述的一种用污秽的温度、含水量检测绝缘子的污秽状态的方法,其特征在于,所述β1(T,w)的获取方法如下:

当在线监测能直接测得污层温度T、污层的含水量w及污层的表面电导率σ时,取被测污区的污层试样,在污层厚度为δ、污层温度为T、含水量为w下,测得的表面电导率为σ,在标准测量条件(Ts,ws)下的表面电导率σs,则用式子β=σ/σs=β1(T,w)就可以求得电导率转换函数β1,β1(T,w)为以T、w作自变量的电导率转换函数,在污层中的电流线平行于污层表面的条件下δ可为任意的正值。

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