[发明专利]PDMS微流控芯片及基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法

权利要求书

1.一种基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备阴模基片，所述阴模基片的表面具有第一微通道；

将含有硅氯键的硅烷试剂修饰于PDMS板的表面，用于衍生化处理所述PDMS板的表面；

将所述PDMS板衍生化处理的表面与所述阴模基片具有第一微通道的表面相贴合，且所述PDMS板位于所述阴模基片的下方；

通过进液孔将刻蚀试剂加入到所述第一微通道中，通过控制压力的方式使刻蚀试剂充满第一微通道，用于对所述PDMS板衍生化处理的表面进行湿法刻蚀，以形成具有第二微通道的PDMS板，其中，所述第二微通道的外轮廓形状与所述第一微通道的外轮廓形状相同；

将所述具有第二微通道的PDMS板从所述阴模基片的表面剥离，所述具有第二微通道的PDMS板经后处理，即得PDMS微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述制备阴模基片的具体步骤包括：

先在第一基片上制备金属膜层，再在金属膜层涂敷光刻胶，制得含胶基片；

采用光刻法将掩膜版上的微通道图形转移至所述含胶基片，并对所述含胶基片刻蚀处理，以形成所述第一微通道，所述含胶基片再经打孔处理形成进液孔，所述进液孔与所述第一微通道相连通，即得所述阴模基片。

3.根据权利要求2所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述第一基片为玻璃片、硅片或石英片。

4.根据权利要求2所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述金属膜层为铬膜层、金膜层、铜膜层或铝膜层。

5.根据权利要求1所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述含有硅氯键的硅烷试剂为三甲基氯硅烷、甲基二氯硅烷和甲基二苯基氯硅烷中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述刻蚀试剂为水、磷酸盐缓冲液、磷酸缓冲液、二甲基亚砜、乙醇和牛血清白蛋白溶液的一种或多种。

7.根据权利要求1-5任一项所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，还包括将所述PDMS微流控芯片与第二基片键合的步骤。

8.根据权利要求7所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述第二基片为金属片、陶瓷片、石英片、PDMS片、聚甲基丙烯酸甲酯片、聚苯乙烯片或环烯烃共聚物片。

9.根据权利要求1-5任一项所述的基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法，其特征在于，所述第二微通道的深度为0.8μm-10μm。

10.一种PDMS微流控芯片，其特征在于，由如权利要求1-9任一项所述基于湿法刻蚀制备PDMS微流控芯片的方法制备而成。