[发明专利]一种基于忆阻器的语音存储与分类系统有效
申请号: | 201710654940.6 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107424647B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 于永斌;雷飞;张欢;党博;唐浩文;杨辰宇;杨妮晶;马慧慧;汪彦丞;徐冰珂;陈文瑜;刘美希 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;H03H11/38 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 徐金琼;刘东 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 语音 存储 分类 系统 | ||
1.一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,包括依次连接的拾音模块(1)、放大模块(2)、忆阻型滤波模块(3)、A/D转换模块(4)、控制模块(5)和基于忆阻器交叉阵列的存储模块(6),控制模块(5)还连接有语音分类模块(7),语音分类模块(7)为基于忆阻器的神经网络,所述神经网络的神经元的硬件电路为忆阻桥神经元电路。
2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,所述忆阻型滤波模块(3)为二阶带通有源滤波器。
3.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,所述基于忆阻器交叉阵列的存储模块包括依次连接的“写0或1”选择电路、脉冲施加电路、多路选择器,还包括与多路选择器相连的忆阻交叉阵列电路和读电路,所述忆阻交叉阵列电路包括N行N列的忆阻器元器件,其中N大于等于1,每一个忆阻器为一个存储单元,储存0或者1。
4.根据权利要求3所述的一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,所述基于忆阻器交叉阵列的存储模块的读过程的步骤为:①写0或写1选择电路为二路选择器RP,根据写0或写1选择电路控制施加脉冲的方向,即往忆阻交叉阵列中忆阻器施加电压的方向;②对忆阻器分别施加两次高脉冲,通过多路选择器确定存储单元;③根据读电路来获取两次高脉冲的忆阻器值的改变量;④如果改变量小于阈值,说明忆阻器的状态已经稳定,写入完成,则写操作结束,否则重复②和③步骤,即继续施加高脉冲。
5.根据权利要求3所述的一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,所述基于忆阻器交叉阵列的存储模块的写过程的步骤为:①根据写0或者写1电路控制施加脉冲的方向为写0的方向,即RP=0,进行写1操作的尝试;②对忆阻器分别施加高脉冲,通过多路选择器确定存储单元;③根据读电路来获取忆阻器值的改变量;④如果改变量小于阈值,则返回该存储单元的状态为0,否则返回该存储单元的状态为1,并进行写1操作。
6.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的语音存储与分类系统,其特征在于,所述基于忆阻器的神经网络包括输入层、隐含层和输出层,隐含层位于输入层和输出层之间。
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