[发明专利]一种高外量子效率的底发光型OLED器件

权利要求书

1.一种高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，包括位于玻璃衬底上方的低折射率层，位于所述低折射率层上方的阳极层，与所述阳极相对设置的阴极层，以及形成于所述阳极层和所述阴极层之间的微腔；其中，所述微腔包括有机功能层；所述阴极层为不透明的全反射阴极层，所述阳极层为半反射阳极层；所述玻璃衬底的出光面经过粗糙化处理；所述低折射率层的折射率为1.05-1.4；所述低折射率层由管状氧化铝或氧化硅气凝胶构成。

2.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射阳极层为半反射层。

3.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射阳极层包括层叠设置的半反射层和透明阳极。

4.如权利要求2或3所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射层为的厚度为10-60nm，反射率为30-50%，所述半反射层的材料包括Al、Ag、Au、Ge、MoO₃中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述透明阳极为ITO或IZO，全反射阴极层的材料为铝。

6.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述玻璃衬底的出光面进行粗糙化处理后的粗糙度为190~390nm。

7.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，有机功能层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。

8.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，采用物理气相沉积形成所述半反射阳极层；在所述玻璃衬底的出光面采用喷砂工艺或化学处理进行粗糙化处理 。

9.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述低折射率层的制备方法为：在玻璃衬底上方通过阳极氧化工艺制备管状氧化铝；或者使用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备纳米结构的氧化硅气湿润凝胶，然后使用超临界干燥法或常压干燥法将上述氧化硅气湿润凝胶干燥得到氧化硅气凝胶薄膜。

10.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述低折射率层的厚度为5~20um，半反射阳极层的总厚度为10~240nm，不透明的全反射阴极层的厚度为100nm以上。