[发明专利]用于干蚀刻机台的下电极结构及干蚀刻机台

说明书

技术领域

本发明属于蚀刻设备技术领域，具体地讲，涉及一种用于干蚀刻机台的下电极结构及干蚀刻机台。

背景技术

在半导体制程以及TFT-LCD制作工艺流程中，干蚀刻制程都是不可或缺的。在干蚀刻制程中，下电极是非常重要的机构。

图1是传统的干蚀刻下电极的结构示意图。参照图1，传统的干蚀刻下电极包括电极部1、设置于电极部1上的绝缘部2、贯穿电极部1和绝缘部2的顶针孔3以及顶针4。其中，顶针4通常位于顶针孔3，用于承载被处理的基板10至绝缘部2上或者将处理后的基板10顶离绝缘部2。现有的干蚀刻下电极存在的问题是，如图2所示，当承载在绝缘部2上的基板10出现吸附异常等问题时，基板10会出现翘曲现象，这样会使周围环境中的等离子体(plasma)通过基板10翘曲出现的缝隙而进入顶针孔3内，从而使电极部1被电弧击伤(arcing)。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种避免电极部被电弧击伤的用于干蚀刻机台的下电极结构及干蚀刻机台。

根据本发明的一方面，提供了一种用于干蚀刻机台的下电极结构，其包括：绝缘部，包括相对的第一表面和第二表面；电极部，设置于所述第二表面上；顶针孔，贯穿所述绝缘部和所述电极部，所述第一表面与所述顶针孔的内表面的连接处形成台阶；顶针，包括针杆以及连接于所述针杆一端的托盘；其中，当所述顶针承载所述被处理的基板至所述第一表面上时，所述托盘的端部位于所述台阶上，以将所述顶针孔的在所述第一表面上的开口封闭，所述针杆位于所述顶针孔中。

进一步地，所述针杆和所述托盘均可以呈圆柱体状，所述托盘的底面直径大于所述针杆的底面直径。

进一步地，所述托盘可以呈圆柱体状，所述针杆可以呈长方体状，所述针杆在所述托盘上的投影完全位于所述托盘内。

进一步地，所述针杆和所述托盘均可以呈长方体状，所述针杆在所述托盘上的投影完全位于所述托盘内。

进一步地，所述托盘可以呈长方体状，所述针杆可以呈圆柱体状，所述针杆在所述托盘上的投影完全位于所述托盘内。

进一步地，所述绝缘部可以由陶瓷材料制成。

进一步地，所述顶针可以由绝缘材料制成。所述可以由塑料、橡胶、陶瓷等绝缘材料制成。

根据本发明的另一方面，还提供了一种干蚀刻机台，其包括上述的下电极结构。

本发明的有益效果：本发明在承载于绝缘部的表面上的被处理的基板出现翘曲现象时，由于托盘将顶针孔在绝缘部的表面上的开口封闭，这样周围环境中的等离子体(plasma)不会进入顶针孔内，从而避免电极部被电弧击伤(arcing)。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是传统的干蚀刻下电极的结构示意图；

图2是传统的被处理的基板出现异常时的状态示意图；

图3是根据本发明的实施例的用于干蚀刻机台的下电极结构的示意图；

图4是根据本发明的实施例的顶针的立体示意图；

图5是根据本发明的另一实施例的顶针的立体示意图；

图6是根据本发明的又一实施例的顶针的立体示意图；

图7是根据本发明的又一实施例的顶针的立体示意图；

图8是根据本发明的实施例的被处理的基板出现异常时的状态示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。

图3是根据本发明的实施例的用于干蚀刻机台的下电极结构的示意图。

参照图3，根据本发明的实施例的下电极结构包括绝缘部100、电极部200、顶针孔300以及顶针400。

具体而言，绝缘部100包括相对的第一表面110和第二表面120。在本实施例中，第一表面110为绝缘部100的上表面，第二表面120为绝缘部100的下表面，但本发明并不限制于此。在本实施例中，同时考虑绝缘部100的支撑刚性以及绝缘性，优选地，绝缘部100由陶瓷材料制成，但本发明并不限制于此。