[发明专利]应用光纤通信在强电磁辐射下电子器件误触发的测试系统在审
| 申请号： | 201710627595.7 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107390061A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王陶蓉;黄学功 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R29/08;G08C23/06 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用 光纤通信 电磁辐射 电子器件 触发 测试 系统 | ||
1.一种应用光纤通信在强电磁辐射下电子器件误触发的测试系统，其特征在于，包括射频信号发生器(1)，功率放大器(2)，电-光信号转换器(3)，GTEM小室(4)，场强测试仪(5)，基座平台(6)，光纤(7)，光-电信号转换器(8)，示波器(9)和计算机(10)；
所述射频信号发生器(1)用于产生射频信号，经功率放大器(2)放大，传输至GTEM小室(4)内，并通过调整射频信号大小来调整GTEM小室(4)内电磁场强度；
所述功率放大器(2)输入端与射频信号发生器(1)相连，输出端与GTEM小室(4)相连，用以将信号发生器(1)产生的电磁信号放大，传输至GTEM小室(4)内；
所述GTEM小室(4)用于形成稳定、均匀的高频强电磁场，用以提供测试被测电子器件产生误触发的实验环境；
所述电-光信号转换器(3)位于GTEM小室(4)内，与被测电子器件相连，用以待被测电子器件受电磁场辐射后，产生误触发电信号，电-光信号转换器(3)将电信号转换成光信号；
所述场强测试仪(5)位于GTEM小室(4)内，用以测量GTEM小室(4)内实时电场强度大小；
所述计算机(10)位于GTEM小室(4)外，接收并显示场强测试仪(5)测量的GTEM小室(4)内电场大小，用以实时监测GTEM小室(4)内电场强度大小；
所述光-电信号转换器(8)位于GTEM小室(4)外，通过光纤(7)与电-光信号转换器(3)相连，用于将电-光信号转换器(3)转换出的光信号转换成电信号；
所述示波器(9)与光-电信号转换器(8)相连，用以显示待测电子器件的误触发信号。
2.如权利要求1所述的应用光纤通信在强电磁辐射下电子器件误触发的测试系统，其特征在于，所述GTEM小室(4)内还设有调整待测电子器件的位置的基座平台(6)，所述基座平台(6)为绝缘材料。
3.如权利要求1所述的应用光纤通信在强电磁辐射下电子器件误触发的测试系统，其特征在于，所述电-光信号转换器(3)的型号为HFBR-1414。
4.如权利要求1所述的应用光纤通信在强电磁辐射下电子器件误触发的测试系统，其特征在于，所述光-电信号转换器(8)的型号为HFBR-2416。
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