[发明专利]一种全集成压电驱动装置及其制备方法

权利要求书

1.一种全集成压电驱动装置，包括PZT驱动层和SOI支撑平台，所述PZT驱动层包括底电极，所述底电极与所述SOI支撑平台连接；所述底电极通过金-铟共晶键合形成。

2.根据权利要求1所述的全集成压电驱动装置，其特征在于，所述SOI支撑平台包括SOI片层、设置在所述SOI片层上的锁定电极和设置在所述锁定电极上的电绝缘层，其中，所述电绝缘层与所述底电极连接。

3.根据权利要求1所述的全集成压电驱动装置，其特征在于，所述PZT驱动层还包括设置在所述底电极上的PZT层和设置在所述PZT层上的顶电极。

4.根据权利要求1或3所述的全集成压电驱动装置，其特征在于，所述PZT驱动层具有微结构，所述微结构包括悬臂梁结构和质量块结构。

5.权利要求1～4任一项所述全集成压电驱动装置的制备方法，包括以下步骤：

在温度为175～185℃和压力为200～400mbar的条件下，通过金-铟共晶键合形成与所述SOI支撑平台连接的PZT驱动层的底电极，得到全集成压电驱动装置；所述键合的时间为50～70min。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)采用物理气相沉积法在SOI支撑平台的电绝缘层上沉积第一键合中间层，所述第一键合中间层依次包括第一铬薄膜、第一金薄膜、铟薄膜和第二金薄膜，与所述电绝缘层连接的为第一铬薄膜；

采用物理气相沉积法在PZT驱动层的PZT层上沉积第二键合中间层，所述第二键合中间层依次包括第二铬薄膜、铂薄膜和第三金薄膜，与所述PZT层连接的为第二铬薄膜；

(2)在温度为175～185℃和压力为200～400mbar的条件下，将所述步骤(1)中的第一键合中间层与第二键合中间层通过金-铟共晶键合为一体，作为PZT驱动层的底电极，得到全集成压电驱动装置；所述键合的时间为50～70min。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述SOI支撑平台的锁定电极采用物理气相沉积法得到。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述SOI支撑平台的电绝缘层采用化学气相沉积法得到。

9.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述PZT驱动层的顶电极采用剥离工艺得到。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述PZT驱动层的微结构采用皮秒激光刻蚀工艺得到。