[发明专利]一种像素结构、阵列基板及液晶显示装置在审
申请号: | 201710602719.6 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN109283754A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 曲莹莹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子电极 像素结构 液晶显示装置 参考方向 第一电极 电极结构 阵列基板 顺时针旋转 第二电极 色偏现象 液晶分子 显示区 正整数 延伸 钝角 锐角 栅线 相等 驱动 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:用于驱动液晶分子旋转的第一电极和第二电极,所述像素结构划分为n个显示区,n≥2,n为正整数;
所述第一电极包括分别位于每个所述显示区内的多个条状的第一子电极,在同一所述显示区内的多个第一子电极沿顺时针旋转至参考方向的角度均为钝角或均为锐角,所述参考方向为与所述像素结构连接的栅线延伸的方向;
其中,各相邻所述第一子电极之间的间距、各所述第一子电极的宽度以及各所述第一子电极的倾斜角度中的至少一种不完全相等,所述倾斜角度为所述第一子电极的延伸方向与所述参考方向的夹角。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,在同一所述显示区中,每相邻所述第一子电极之间的间距相等、且每个所述第一子电极的宽度相等;
针对m个所述显示区,位于不同所述显示区中的各相邻所述第一子电极之间的间距、各所述第一子电极的宽度以及各所述第一子电极的倾斜角度中的至少一种不相等;其中,2≤m≤n,m为正整数。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,在同一所述显示区中,各相邻所述第一子电极之间的间距、各所述第一子电极的宽度以及各所述第一子电极的倾斜角度中的至少一种不完全相等。
4.根据权利要求3所述像素结构,其特征在于,在同一所述显示区中,各所述第一子电极的倾斜角度相等,且各所述第一子电极沿其延伸方向的两条边平行,各相邻所述第一子电极之间的间距不完全相等,和/或各所述第一子电极的宽度不完全相等。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,针对t个所述显示区,位于不同所述显示区的所述第一子电极的倾斜角度不相同;
其中,2≤t≤n,t为正整数。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二电极包括多个条状的第二子电极;所述第一子电极和所述第二子电极同层交替设置。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极不同层设置;
所述第二电极为面状电极;
或者,所述第二电极包括多个条状的第二子电极,所述第二子电极至少设置在所述第一子电极之间的间隙位置处。
8.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,各所述第一子电极之间通过辅助电极电连接;
所述辅助电极与所述第一电极同层同材料。
9.根据权利要求1-8任一项所述的像素结构,其特征在于,所述第一电极或所述第二电极的材料为ITO或IZO中的至少一种。
10.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的像素结构。
11.一种液晶显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的阵列基板。
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