[发明专利]一种外置高端存储卡在审
申请号: | 201710596838.5 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN107577419A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 杨明涛;毛晓彤;张磊 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 张亮 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外置 高端 存储 | ||
1.一种外置高端存储卡,其特征在于,包括存储板卡本体,存储板卡上设有Raid控制器和外置式连接器接口,外置式连接器接口连接有外置式连接器;
所述Raid控制器连接有DDR4缓存阵列、PCIE主机接口、外置式连接器、Firmware保存单元、数据保护单元、时钟单元和供电单元;
所述数据保护单元与供电单元连接;
外置式连接器与磁盘柜内的磁盘连接。
2.根据权利要求1所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,DDR4缓存阵列和Raid控制器通过DDR4高速数据总线连接;
外置式连接器接口通过高速差分信号线与Raid控制器连接。
3.根据权利要求2所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,所述Firmware保存单元包括FLASH电路模块,所述FLASH电路模块通过QSPI总线接口与Raid控制器连接;
数据保护单元和Raid控制器通过FLASH接口相连;所述数据保护单元的核心为NAND FLASH电路模块。
4.根据权利要求3所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,所述NAND FLASH电路模块设有超级电容接口;所述NAND FLASH电路模块通过超级电容接口连接有超级电容。
5.根据权利要求3或4所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,所述时钟单元通过石英晶体或时钟振荡芯片产生存储板卡所需的100MHz差分时钟源。
6.根据权利要求1所述的一种外置高端存储卡,其特征在于, PCIE主机接口为PCIE金手指接口;
所述供电单元,由多个电源芯片电路组成,将PCIE金手指接口传输过来的电压通过电源芯片转换为存储板卡所需电压。
7.根据权利要求6所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,所述Raid控制器为型号为SAS3508的ROC芯片。
8.根据权利要求7所述的一种外置高端存储卡,其特征在于, 所述外置式连接器包括外置式MiniSASHD、OCUlink、Slimline接口形态的高速连接器;所述外置式连接器数量为两个,分别为第一外置式连接器和第二外置式连接器。
9.根据权利要求8所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,所述存储板卡设有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧;
PCIE金手指接口设置在存储板卡的第四侧;所述第一外置连接器和第二外置连接器均设置在存储板卡的第一侧。
10.根据权利要求9所述的一种外置高端存储卡,其特征在于,存储板卡支持通过Expander板卡扩展支持240个SAS和/或SATA磁盘;
存储板卡通过PCIE Switch板卡扩展支持24个x4带宽NVME磁盘。
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