[发明专利]兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路

权利要求书

1.一种兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，包括天线、选择组件集、双工组件、滤波组件、隔离组件、第一射频开关、第二射频开关、射频接收电路以及射频发射电路，所述隔离组件包括隔离器，所述滤波组件包括滤波器；

所述选择组件集包括第一选择组件、第二选择组件、第三选择组件、第四选择组件、第五选择组件、第六选择组件以及第七选择组件，所述选择组件集中各选择组件分别设置有第一接口、第二接口以及第三接口；

所述天线与所述第一选择组件的第一接口连接，所述第一选择组件的第二接口与所述双工组件连接，所述第一选择组件的第三接口与所述滤波组件连接，所述滤波组件与所述第一射频开关的第一端口连接，所述双工组件与所述第二选择组件的第二接口连接，所述第二选择组件的第一接口与所述第三选择组件的第一接口连接，所述第二选择组件的第三接口与所述第一射频开关的第二端口连接，所述第三选择组件的第二接口与所述第四选择组件的第二接口连接，所述第三选择组件的第三接口与所述第二射频开关的第一端口连接，所述第二射频开关的第二端口与所述第四选择组件的第三接口连接，所述第四选择组件的第一接口与所述射频接收电路连接，所述第五选择组件的第三接口与所述第一射频开关的第三端口连接，所述第五选择组件的第二接口与所述双工组件连接，所述第五选择组件的第一接口与所述第六选择组件的第一接口连接，所述第六选择组件的第二接口与所述隔离组件连接，所述第六选择组件的第三接口与所述第七选择组件的第三接口连接，所述第七选择组件的第二接口与所述隔离组件连接，所述第七选择组件的第一接口与所述射频发射电路连接；

所述选择组件集中各选择组件还包括正交设置的第一射频通路电容焊盘与第二射频通路电容焊盘，所述第一射频通路电容焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述第二射频通路电容焊盘包括第三焊盘和第四焊盘；所述第一焊盘，用于焊接外部第一射频通路电容，所述第四焊盘用于焊接外部第二射频通路电容，所述第二焊盘与所述第三焊盘叠焊，形成叠焊盘；所述第一接口与所述叠焊盘连接，所述第二接口与所述第一焊盘连接，所述第三接口与所述第四焊盘连接；

当处于TDD模式时，所述选择组件集中各选择组件的第一接口分别与相应的第三接口导通，当处于FDD模式时，所述选择组件集中各选择组件的第一接口分别与相应的第二接口导通。

2.根据权利要求1所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，还包括负载，所述负载与所述第二射频开关的第三端口连接。

3.根据权利要求2所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，所述负载包括50欧姆的负载。

4.根据权利要求1所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，所述射频接收电路包括依次连接的低噪放大器、第一滤波器、第一混频器以及模数转换器，所述低噪放大器与所述第四选择组件的第一接口连接。

5.根据权利要求4所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，所述射频发射电路包括依次连接的功率放大器、第二滤波器、第二混频器以及数模转换器，所述功率放大器与所述第七选择组件的第一接口连接。

6.根据权利要求5所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，当处于TDD模式时，所述第一混频器与所述第二混频器采用同一本振频率。

7.根据权利要求5所述的兼容TDD与FDD的LTE射频收发电路，其特征在于，当处于FDD模式时，所述第一混频器与所述第二混频器采用独立的本振频率，所述第一混频器采用上行本振频率，第二混频器采用下行本振频率。