[发明专利]光电元件与其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件包含︰

光电单元，具有第一上表面、下表面、侧面、第一金属层以及第二金属层，该第一金属层以及该第二金属层直接接触该第一上表面；

导电结构，位于该第一上表面，包含︰

第一导电层；

第二导电层；

第一绝缘层，覆盖于部分该第一金属层、部分该第二金属层以及该第一上表面上；

第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上；

第一开口；以及

第二开口，该第一开口、该第二开口形成于该第一绝缘层以及该第二绝缘层之中，该第一开口暴露该第一金属层、该第二开口暴露该第二金属层，该第一导电层形成于该第一开口中的该第一金属层上与之电连接、该第二导电层形成于该第二开口中的该第二金属层上与之电连接；

第一透明结构，覆盖该侧面以及下表面；

第二透明结构，位于该第一透明结构之下，具有不平行于该第一上表面的第一边；以及

反射面，当该第一透明结构的旁侧垂直于该第一上表面时，该反射面形成于该第一边之下，当该第一透明结构的旁侧不垂直于该第一上表面时，该第一透明结构的旁侧形成第二边，该第一边位于该第二边之下，该反射面形成于该第一边与该第二边之下。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中，该第一边由第一透明结构的旁侧往下延伸。

3.如权利要求1所述的光电元件，其中，且该第二边位于该第一透明结构的侧壁。

4.一种光电元件包含︰

光电单元，具有第一上表面、下表面、侧面、第一金属层以及第二金属层，该第一金属层以及该第二金属层直接接触该第一上表面；

导电结构，位于该第一上表面；

第一导电层；

第二导电层；

第一绝缘层，覆盖于部分该第一金属层、部分该第二金属层以及该第一上表面上；

第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上；

第一开口；以及

第二开口，该第一开口、该第二开口形成于该第一绝缘层以及该第二绝缘层之中，该第一开口暴露该第一金属层、该第二开口暴露该第二金属层，该第一导电层形成于该第一开口中的该第一金属层上与之电连接、该第二导电层形成于该第二开口中的该第二金属层上与之电连接；

第一透明结构，覆盖该侧面以及下表面；

第二透明结构，位于该第一透明结构之下；以及

反射面，位于该第二透明结构之下。

5.如权利要求1或4所述的光电元件，其中，该第一金属层包含侧壁未超出该侧面。

6.如权利要求5所述的光电元件，其中，该第一透明结构覆盖该侧壁。

7.如权利要求1或4所述的光电元件，其中，该第一开口、该第二开口分别形成于该第一金属层、该第二金属层上。

8.如权利要求7所述的光电元件，其中，该第一金属层具有一大于该第一开口的宽度、该第二金属层具有一大于该第二开口的宽度。

9.如权利要求1或4所述的光电元件，部分该第一绝缘层与该第二绝缘层形成于该第一金属层与该第二金属层之间。

10.如权利要求1或4所述的光电元件，其中，该第一导电层以及该第二导电层分别包含铜、锡、金、镍、钛、铅、铜-锡、铜-锌、铜-镉、锡-铅-锑、锡-铅-锌、镍-锡、镍-钴、金合金、金-铜-镍-金或上述材料的组合。