[发明专利]一种太阳能电池板用减反射膜在审
申请号: | 201710575846.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107546279A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 孙文生;孙传涛 | 申请(专利权)人: | 合肥文胜新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;C03C17/42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池板 减反射膜 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能领域,具体涉及一种太阳能电池板用减反射膜。
背景技术
减反射膜又称增透膜,它的主要功能是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光,从而增加这些元件的透光量,减少或消除系统的杂散光。
最简单的增透膜是单层膜,它是镀在光学零件光学表面上的一层折射率较低的薄膜。如果膜层的光学厚度是某一波长的四分之一,相邻两束光的光程差恰好为π,即振动方向相反,叠加的结果使光学表面对该波长的反射光减少。适当选择膜层折射率,这时光学表面的反射光可以完全消除。
一般情况下,采用单层增透膜很难达到理想的增透效果,为了在单波长实现零反射,或在较宽的光谱区达到好的增透效果,往往采用双层、三层甚至更多层数的减反射膜。
减反射膜是应用最广、产量最大的一种光学薄膜,因此,它至今仍是光学薄膜技术中重要的研究课题,研究的重点是寻找新材料,设计新膜系,改进淀积工艺,使之用最少的层数,最简单、最稳定的工艺,获得尽可能高的成品率,达到最理想的效果。
为了提高太阳能的吸收效率,减少入反射损失,一般都会在制作太阳能电池板的时候,都要在硅片表面上覆盖一层减反射膜,制作减反射膜的材料有MgF2、SiO2、Al2O3、SiO、Si3N4、TiO2、Ta2O5等。由于长期暴露在外使用,减反射膜的防水性能、抗磨损性也要大大的提高。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种太阳能电池板用减反射膜。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:
一种太阳能电池板用减反射膜,包括空心二氧化硅层、复合硅氧化物层、防水层、耐磨层;依次将所述空心二氧化硅层、复合硅氧化物层、防水层、耐磨层喷涂再烘干制得所述减反射膜。
进一步的,所述空心二氧化硅层由空心二氧化硅镀膜液涂覆在玻璃基体表面之后烘干制得。
进一步的,所述二氧化硅复合镀膜液包括钛溶胶、锆溶胶和铝溶胶中的至少一种和链状二氧化硅溶胶。
进一步的,所述空心二氧化硅镀膜液包括空心二氧化硅溶胶、添加剂和溶剂。
进一步的,所述复合硅氧化物层由二氧化硅复合镀膜液在空心二氧化硅层表面涂覆之后烘干制得。
进一步的,所述复合硅氧化物层为硅钛氧化物层、硅锆氧化物层、硅铝氧化物层、硅钛锆氧化物层、硅钛铝氧化物层、硅锆铝氧化物层和硅钛锆铝氧化物层中的一种。
进一步的,所述防水层包括以下重量份数原料:二甲苯50 份、苯乙烯35 份、抗氧剂1 份、分散剂2 份、触变剂3 份、余量水30份。
进一步的,所述分散剂为硅酸镁锂。
进一步的,所述触变剂为二氧化硅。
进一步的,所述耐磨层Al2O3-Cu纳米复合粉涂层。
进一步的,所述Al2O3-Cu纳米复合粉的制备方法为:以硫酸铜CuSO4.5H2O和硫酸铝铵NH4Al(SO4)2.12H2O为原料制成反应母液,向反应母液中加入碳酸氢铵NH4HCO3作为沉淀剂;调制反应母液浓度为0.160mol/L,碳酸氢铵NH4HCO3浓度为0.76mol/L、PH为中性的;将反应温度设为25℃;上述步骤得到的前驱体依次进行陈化、分离、洗涤、烘干、煅烧、还原即可得到Al2O3-Cu纳米复合粉。
本发明的有益效果为:(1)该太阳能涂料同时具有良好的吸热性、防水性,有效的减少了太阳光的反射,提高了太阳能电池板对太阳光照的吸收率;(2)耐磨层中含有的Al2O3-Cu纳米复合粉提高了最终太阳能电池板涂层的抗磨损性能和硬性强度。
具体实施方式
为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识,用以较佳的实施例配合详细的说明,说明如下:
一种太阳能电池板用减反射膜,包括空心二氧化硅层、复合硅氧化物层、防水层、耐磨层;依次将所述空心二氧化硅层、复合硅氧化物层、防水层、耐磨层喷涂再烘干制得所述减反射膜。其中所述分散剂为硅酸镁锂,所述触变剂为二氧化硅。
所述空心二氧化硅层由空心二氧化硅镀膜液涂覆在玻璃基体表面之后烘干制得。
所述二氧化硅复合镀膜液包括钛溶胶、锆溶胶和铝溶胶中的至少一种和链状二氧化硅溶胶,其中所述空心二氧化硅镀膜液包括空心二氧化硅溶胶、添加剂和溶剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的