[发明专利]变频器中IGBT性能的检测方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及变频器检测领域，特别涉及一种变频器中IGBT性能的检测方法。

背景技术

变频器是一种应用变频技术和微电子技术，通过改变电机工作电源频率的方式来控制交流电机的控制设备，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是变频器中的重要器件，IGBT的性能好坏直接影响着变频器的性能好坏。相关技术中IGBT性能的好坏一般通过人工检测的方法确定，检测效率低。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种变频器中IGBT性能的检测方法。该技术方案如下：

第一方面，提供了一种变频器中IGBT性能的检测方法，该方法包括：

将所述IGBT设置为测试状态；

设置UVW三相状态，所述UVW三相状态包括U相的上臂和下臂的开启状态、V相的上臂和下臂的开启状态、W相的上臂和下臂的开启状态；

设置测试电流，获取所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流；

检测所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流是否满足预定条件，所述预定条件为存在电流值相等的两相且所述电流值相等的两相的电流值之和的绝对值等于剩余一相的电流值的绝对值；

若检测到所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流满足所述预定条件，则执行所述设置UVW三相状态的步骤，每次设置的UVW三相状态不同；

若检测到所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流不满足所述预定条件，则确定所述IGBT的性能不佳；

若在每一种所述UVW三相状态下，均检测到所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流满足所述预定条件，则确定所述IGBT的性能良好。

可选的，所述设置WVU三相开启状态，包括：

设置所述U相的上臂、所述V相的下臂、所述W相的下臂为导通状态，所述U相的下臂、所述V相的上臂、所述W相的上臂围关闭状态；

或，

设置所述U相的下臂、所述V相的上臂、所述W相的上臂为导通状态，所述U相的上臂、所述V相的下臂、所述W相的下臂为关闭状态；

或，

设置所述V相的上臂、所述U相的下臂、所述W相的下臂为导通状态，所述V相的下臂、所述U相的上臂、所述W相的上臂为关闭状态；

或，

设置所述V相的下臂、所述U相的上臂、所述W相的上臂为导通状态，所述V相的上臂、所述U相的下臂、所述W相的下臂为关闭状态；

或，

设置所述W相的上臂、所述U相的下臂、所述V相的下臂为导通状态，所述W相的下臂、所述U相的上臂、所述V相的上臂为关闭状态；

或，

设置所述W相的下臂、所述U相的上臂、所述V相的上臂为导通状态，所述W相的上臂、所述U相的下臂、所述V相的下臂为关闭状态。

可选的，

所述检测所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流是否满足预定条件，所述预定条件为存在电流值相等的两相且所述电流值相等的两相的电流值之和的绝对值等于剩余一相的电流值的绝对值，所述电流值相等的两相的电流方向相同，所述剩余一相的电流方向与所述电流值相等的两相的电流方向相反，包括：

当所述U相的上臂、所述V相的下臂、所述W相的下臂为导通状态，所述U相的下臂、所述V相的上臂、所述W相的上臂围关闭状态时，检测所述U相的电流、所述V相的电流以及所述W相的电流是否满足所述预定条件，所述预定条件为所述V相的电流值等于W相的电流值且V相与W相的电流值之和的绝对值等于U相的电流值的绝对值；所述V相的电流方向与所述W相的电流方向相同，所述U相的电流方向与所述V相的电流方向相反；

当所述U相的下臂、所述V相的上臂、所述W相的上臂为导通状态，所述U相的上臂、所述V相的下臂、所述W相的下臂为关闭状态时，检测所述V相的电流值是否等于W相的电流值且V相与W相的电流值之和的绝对值等于U相的电流值的绝对值；所述V相的电流方向与所述W相的电流方向相同，所述U相的电流方向与所述V相的电流方向相反；