[发明专利]一种光学邻近修正方法

说明书

本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形；对切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘；将模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得关键边缘的边缘放置误差和非关键边缘的边缘放置误差；计算成本函数，成本函数为关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，关键边缘的边缘放置误差的权重大于非关键边缘的边缘放置误差的权重；判断成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对切割层图形进行光学邻近修正，直到成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

在目前的一些半导体工艺制程中，特别是FinFET器件的制备工艺中，通常需要使用切割层(也即掩膜图形)，对形成在半导体衬底上的长度较长的多个鳍片结构进行切割，该切割层的轮廓包括对切割起主要作用的与所述鳍片结构的长度延伸方向垂直的边缘以及对切割基本不起作用的与所述鳍片结构的长度延伸方向平行的边缘，可以利用刻蚀工艺进行切割，以将长度较长的多个鳍片切割为多个不同长度的鳍片，对应的需要能够实现该切割功能的掩模版，该掩模版上设置相应的切割层图形。

当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。通常实施光学邻近修正(即OPC)以确保模拟轮廓能够与目标轮廓相吻合，当前一种有效的方法是基于边缘放置误差(edge placement error,EPE)控制使模拟轮廓符合规格。切割层的轮廓中与所述鳍片结构的长度延伸方向垂直的边缘对应所述模拟轮廓的关键边缘，与鳍片结构的长度延伸方向平行的边缘对应模拟轮廓的非关键边缘，通常切割层图形的模拟轮廓的关键边缘的EPE应严格控制在±1nm之内，而非关键边缘的EPE可放松到±5nm之内。如何使模拟轮廓的关键边缘的边缘放置误差更小，进而提高光学邻近修正的精度一直是业界内研究的热点。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明一方面提供一种光学邻近修正方法，包括：

提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形，所述切割层图形位于掩模版上，所述切割层图形用于转印至半导体衬底上以形成掩膜图形，进而以所述掩膜图形为掩模对半导体器件中的待切割结构进行切割；

对所述切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，所述模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘，所述掩膜图形的轮廓中与所述待切割结构相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述关键边缘，与所述待切割结构不相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述非关键边缘；

将所述模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得所述关键边缘的边缘放置误差和所述非关键边缘的边缘放置误差；

计算成本函数，所述成本函数为所述关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及所述非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，其中，所述关键边缘的边缘放置误差的权重大于所述非关键边缘的边缘放置误差的权重；

判断所述成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对所述切割层图形进行光学邻近修正，直到所述成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。

示例性地，所述半导体器件包括FinFET器件，所述待切割结构包括形成在所述FinFET器件上的鳍片结构，以所述掩膜图形为掩模沿与所述鳍片结构的长度延伸方向垂直的方向对所述鳍片结构进行切割；