[发明专利]一种薄膜耦合电感和电源转换电路

说明书

本发明实施例提供了一种薄膜耦合电感和电源转换电路，该薄膜耦合电感包括：薄膜磁芯，形成为具有两端开口的腔体结构；第一导体组和第二导体组，该第一导体组通入第一直流电流后产生的磁场与该第二导体组通入第二直流电流后产生的磁场经过矢量叠加后形成第一磁场和第二磁场，该第一磁场沿第一磁通回路分布，该第二磁场沿第二磁通回路分布；永磁体，位于该第一导体组和该第二导体组之间的区域，该永磁体产生沿该第一磁通回路分布的第三磁场和沿该第二磁通回路分布的第四磁场，其中，该第三磁场的方向与该第一磁场的方向相反，该第四磁场的方向与该第二磁场的方向相反，因而，有助于减少该薄膜耦合电感易达到饱和状态的可能性。

技术领域

本发明实施例涉及电路领域，并且更具体地，涉及一种薄膜耦合电感和电源转换电路。

背景技术

现有技术中，已知一种薄膜耦合电感为两相反耦合电感，该薄膜耦合电感包括薄膜磁芯以及被该薄膜磁芯包围的两个导体组，每个导体组包括至少一个导体。正常工作时，每个导体组通入的电流(或者说，每个导体组中的各个导体通入的电流经过矢量叠加后的电流)包括直流分量和交流分量，且该两个导体组中被通入的直流分量的大小相等且方向相反。相应地，每个导体组通入电流后产生的磁场是该电流的直流分量和该电流的交流分量共同产生的磁场，或者，该每个导体组通入电流后产生的磁场是由该电流的直流分量产生的磁场和该电流的交流分量产生的磁场经过矢量叠加后形成的磁场。

通常，该两相反耦合电感两端的电压是周期性变化的，且每个周期内的电压峰值不变，因而，通入每个导体组中的交流分量也是周期性变化，进而，使得该每个导体组通入交流分量后产生的磁场的磁感应强度也是呈周期性变化，且磁场的最大磁感应强度是不变的。但是，通入该每个导体组的直流分量是随着芯片的工作负载的变化而变化的：当芯片的工作负载较小时，通入该每个导体组的直流分量较小，相应地，使得该每个导体组通入直流分量后产生的磁场的磁感应强度较小；当芯片的工作负载较大时，通入该每个导体组的直流分量较大，相应地，使得该每个导体组通入直流分量后产生的磁场的磁感应强度较大。

虽然通入每个导体组的电流包括直流分量和交流分量，但是直流分量占据较大比例，因而，直流分量的变化对于导体组通电后产生的磁场的磁感应强度有着较大影响。尤其在直流分量较大时，虽然交流分量产生的磁场的最大磁感应强度不变，但是，较大的直流分量产生的磁场与交流分量产生的磁场经过矢量叠加后产生的磁场的磁感应强度增大，从而容易达到该薄膜耦合电感的饱和磁感应强度(一种情况是较大的直流分量产生的磁场的磁感应强度直接达到该薄膜耦合电感的饱和磁感应强度，另一种情况是虽然较大的直流分量产生的磁场的磁感应强度未达到该薄膜耦合电感的饱和磁感应强度，但是两种电流分量各自产生的磁场叠加后得到的磁场的磁感应强度到该薄膜耦合电感的饱和磁感应强度)，从而导致磁导率接近为零，使得电感的感量急剧下降，电源转化电路中的电流激增，严重时甚至烧毁器件。

因而，需要提供一种技术，有助于减少该薄膜耦合电感的磁感应强度，从而减少该薄膜耦合电感易达到饱和磁感应强度的可能性。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜耦合电感，可以有助于减少薄膜耦合电感的磁感应强度，增强该薄膜耦合电感的抗饱和能力。

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜耦合电感，所述薄膜耦合电感包括：

薄膜磁芯，形成为具有两端开口的腔体结构；

薄膜磁芯，形成为具有两端开口的腔体结构；