[发明专利]一种薄膜耦合电感和电源转换电路

权利要求书

1.一种薄膜耦合电感，其特征在于，所述薄膜耦合电感应用于芯片中，所述芯片中可包括所述薄膜耦合电感，所述薄膜耦合电感包括：

薄膜磁芯，形成为具有两端开口的腔体结构；

第一导体组和第二导体组，位于所述腔体结构的内部，所述第一导体组包括至少一个第一导体，所述第二导体组包括至少一个第二导体，所述第一导体组通入第一直流电流后产生的磁场与所述第二导体组通入第二直流电流后产生的磁场经过矢量叠加后形成第一磁场和第二磁场，所述第一磁场沿第一磁通回路分布，所述第二磁场沿第二磁通回路分布，所述第一磁通回路仅包围所述第一导体组，所述第二磁通回路仅包围所述第二导体组，所述第一直流电流和所述第二直流电流的大小相等且方向相反，所述第一直流电流的大小为所述第一导体组中各个第一导体通入的直流电流的大小的总和，且所述至少一个第一导体通入的直流电流的方向都相同，所述第二直流电流的大小为所述第二导体组中各个第二导体通入的直流电流的大小的总和，且所述至少一个第二导体通入的直流电流的方向相同；

永磁体，位于所述第一导体组和所述第二导体组之间的区域，所述永磁体产生沿所述第一磁通回路分布的第三磁场和沿所述第二磁通回路分布的第四磁场，

其中，所述第三磁场的方向与所述第一磁场的方向相反，所述第四磁场的方向与所述第二磁场的方向相反，所述第三磁场的磁感应强度与所述第一磁场的磁感应强度之间的差值小于所述第一磁场的磁感应强度，所述第四磁场的磁感应强度与所述第二磁场的磁感应强度的差值小于所述第二磁场的磁感应强度。

2.根据权利要求1所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述第三磁场的磁感应强度小于或等于所述第一磁场的磁感应强度，且所述第四磁场的磁感应强度小于或等于所述第二磁场的磁感应强度。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述薄膜磁芯包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分的一侧，所述第一部分包括第一端和第二端，所述第二部分面朝所述第一部分的表面包括相互隔离的第一区域和第二区域，其中，

所述第一端与所述第一区域相接触，或，所述第一端靠近所述第一区域且与所述第一区域之间存在间隔；

所述第二端与所述第二区域相接触，或，所述第二端靠近所述第二区域且与所述第二区域之间存在间隔。

4.根据权利要求3所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述第一导体组、所述永磁体和所述第二导体组沿Y方向排布，所述Y方向与所述第二部分面朝所述第一部分的表面所在的平面平行，且所述Y方向与Z方向垂直，所述Z方向为沿所述薄膜磁芯的一端开口延伸至所述薄膜磁芯的另一端开口的方向。

5.根据权利要求4所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述第一导体组沿所述Y方向在XZ-平面上的投影以及所述第二导体组沿所述Y方向在所述XZ-平面上的投影均和所述永磁体沿所述Y方向在所述XZ-平面上的投影之间至少部分重叠，其中，所述XZ-平面垂直于所述第二部分面朝所述第一部分的表面所在的平面。

6.根据权利要求3所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述第一导体组包括至少两个第一导体，所述至少两个第一导体沿X方向呈N层排布，每层包括至少一个第一导体，且位于每相邻两层中的第一导体之间间隔有绝缘层，所述N为大于或等于2的整数，且所述N小于或等于所述第一导体组中包括的第一导体的个数，

其中，所述X方向垂直于所述第二部分面朝所述第一部分的表面所在的平面。

7.根据权利要求3所述的薄膜耦合电感，其特征在于，所述第二导体组包括至少两个第二导体，所述至少两个第二导体沿X方向呈M层排布，每层包括至少一个第二导体，且位于每相邻两层中的第二导体之间间隔有绝缘层，所述M为大于或等于2的整数，且所述M小于或等于所述第二导体组中包括的第二导体的个数，

其中，所述X方向垂直于YZ-平面，所述YZ-平面内的Y方向平行于所述第二部分面朝所述第一部分的表面所在的平面，所述YZ-平面内的Z方向为沿所述薄膜磁芯的一端的开口延伸至所述薄膜磁芯的另一端的开口的方向。