[发明专利]电磁错误注入攻击方法及系统

权利要求书

1.电磁错误注入攻击方法，其特征在于，包括：

测试平台获取待测试芯片的敏感区域；

所述测试平台获取所述敏感区域的时间位置，其中，所述时间位置是所述敏感区域运行算法相对于触发信号的时间间隔；

所述测试平台在所述时间位置对所述敏感区域进行电磁错误注入攻击。

2.根据权利要求1所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述测试平台获取待测试芯片的敏感区域包括：

所述测试平台去除所述待测试芯片表面的环氧树脂，并对去除掉环氧树脂的所述待测试芯片进行抛光处理；

显微镜对所述待测试芯片进行放大，且，LED灯对所述待测试芯片进行补光；

CCD相机对所述待测试芯片进行成像，并确定要攻击的敏感区域。

3.根据权利要求2所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述测试平台获取所述敏感区域的时间位置包括：

PC机向所述待测试芯片发送指令信号；

被动电磁探头采集所述敏感区域响应所述指令信号后的电磁场信号，且，将所述电磁场信号通过示波器进行显示；

当所述示波器上出现与预先存储的电磁信号相同的所述电磁场信号时，提取所述电磁场信号对应的时刻，并将所述时刻记作时间位置。

4.根据权利要求3所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述测试平台在所述时间位置对所述敏感区域进行电磁错误注入攻击包括：

所述PC机根据所述时间位置发送指令给控制板修改触发信号时刻；

电磁注入平台接收所述触发信号后输出窄脉冲信号；

主动电磁探头根据所述窄脉冲信号对所述敏感区域注入电磁错误攻击信号。

5.根据权利要求4所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述方法还包括：

当对同一个所述敏感区域多次注入所述电磁错误攻击信号时，所述PC机在相邻两次的所述电磁错误攻击信号注入之间加入时间延时。

6.根据权利要求4所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述方法还包括：

当对不同所述敏感区域先后注入所述电磁错误攻击信号时，所述PC机在不同所述敏感区域之间注入所述电磁错误攻击信号注入时加入时间间隔。

7.根据权利要求4所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述测试平台测量所述待测试芯片的算法的运行时间和重启时间；

所述PC机向所述待测试芯片发送指令运行算法；

当所述待测试芯片的响应时间大于所述运行时间和所述重启时间的总和时，所述测试平台给所述待测试芯片进行复位。

8.根据权利要求7所述的电磁错误注入攻击方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过上位机查询复位后的所述待测试芯片是否已经重新运行算法；

当所述查询的次数超过预先设定的阈值时，所述PC机向所述待测试芯片重新发送算法运行指令。

9.电磁错误注入攻击系统，其特征在于，包括：

敏感区域测试模块，用于测试平台获取待测试芯片的敏感区域；

时间位置测试模块，用于所述测试平台获取所述敏感区域的时间位置，其中，时间位置是敏感区域运行算法相对于触发信号的时间间隔；

攻击注入模块，用于所述测试平台在所述时间位置对所述敏感区域进行电磁错误注入攻击。

10.根据权利要求9所述的电磁错误注入攻击系统，其特征在于，所述敏感区域测试模块包括：

预先处理单元，用于所述测试平台去除所述待测试芯片表面的环氧树脂，并对去除掉环氧树脂的所述待测试芯片进行抛光处理；

辅助处理单元，用于显微镜对所述待测试芯片进行放大，且，LED灯对所述待测试芯片进行补光；

成像处理单元，用于CCD相机对所述待测试芯片进行成像，并确定要攻击的敏感区域。