[发明专利]用于测量土霉素的光电化学传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种土霉素适配体光电化学生物传感器，其特征在于：为土霉素适配体/TiO₂-rGO/FTO电极；

所述土霉素适配体的序列如SEQ ID NO:1所示；

所述土霉素适配体光电化学生物传感器的制备方法为：

先在FTO导电玻璃上采用水热法制备纳米TiO₂，得到TiO₂/FTO导电玻璃电极，再将氧化石墨烯溶液采用电化学方法进行还原并沉积在TiO₂/FTO导电玻璃电极上，得到TiO₂-rGO/FTO电极，然后将土霉素适配体修饰在TiO₂-rGO/FTO电极上，得到适配体/TiO₂-rGO/FTO电极；

具体方法是：

（1）清洗FTO导电玻璃并烘干；

（2）FTO导电玻璃上用水热法制备纳米二氧化钛：在容器中按20~80和20~80的体积份数依次加入超纯水、浓盐酸，然后在搅拌的条件下缓慢的加入0.5-2体积份数的钛酸正丁酯，搅拌均匀，得到混合液；将烘干的FTO导电玻璃放入清洗干净并且干燥过的高压反应釜的内衬中，并且量取适量的混合液倒入其中；反应温度为80℃-200℃，时间为4-12h；样品自然冷却后，用超纯水清洗玻璃，晾干；然后放入300-600℃马弗炉中恒温2-5h后，即得到TiO₂/FTO导电玻璃电极；

（3）rGO 修 饰 TiO₂/FTO导电玻璃电极的制备：制备浓度为0.1-2mg/mL的氧化石墨烯水溶液；将TiO₂/FTO导电玻璃的面积剪切成0.25-1cm²，以这种面积的TiO₂/FTO导电玻璃作为工作电极，铂丝作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用循环伏安法进行还原，扫描范围为－2.5～2.5 V，扫描速率为 50-200 m V·s^－1；待氧化石墨烯沉积完全，取出工作电极，去离子水冲洗并用吹干，得到TiO₂-rGO/FTO电极；

（4）修饰土霉素适配体：在TiO₂-rGO/FTO电极的表面上滴涂30-100μL的0.01%~0.2%的壳聚糖溶液，待其干燥后，用去离子水清洗，再吹干，然后将30-100μL 1%-5%戊二醛溶液滴涂到修饰好的电极表面，在室温黑暗放置1h，清洗并干燥后，然后在上面滴涂20-50μL的土霉素适配体，在4-30℃中放置2-12h，之后用PBS缓冲液洗去未反应的土霉素适配体，得到适配体/TiO₂-rGO/FTO电极。

2.根据权利要求1所述的土霉素适配体光电化学生物传感器，其特征在于：步骤（4）所述壳聚糖溶液浓度为0.1%，滴涂量为90μL。

3.根据权利要求1所述的土霉素适配体光电化学生物传感器，其特征在于：步骤（3）在150 W 氙灯辐照和加偏压为0.1V条件下，氧化石墨烯沉积时间为300s。

4.一种权利要求1所述土霉素适配体光电化学生物传感器的应用，其特征在于：用于水样中土霉素含量的检测。

5.一种权利要求1所述土霉素适配体光电化学生物传感器检测溶液中土霉素含量的方法，其特征在于：

将土霉素适配体光电化学生物传感器放入用PBS缓冲溶液稀释的待测水样中， 30-60℃反应1h，用超纯水清洗，然后用电化学工作站进行信号检测；采用安培电流时间曲线法，初始电位为-0.2V- 0.2V，运行时间为30-100s，来检测传感器与土霉素反应前后的光电流值。