[发明专利]粘合片有效
申请号: | 201710562750.1 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107629712B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 福原淳仁;平山高正;有满幸生 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/25 | 分类号: | C09J7/25;C09J7/30;C09J133/00;C09J11/06;C08F220/18;C08F220/28;C08F8/30;C08F220/58 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 | ||
本发明提供即使在加热后从凹凸面的剥离性也优异,且剥离后不易产生残胶的粘合片。本发明的粘合片具备由包含基础聚合物的粘合剂形成的、能够通过活性能量射线的照射而固化的粘合剂层,活性能量射线固化前的该粘合剂层的刚性(25℃下的纳米压痕弹性模量与厚度之积)为0.0013N/m~0.008N/m,活性能量射线固化前的该粘合剂层在25℃下的纳米压痕弹性模量为0.045MPa~0.175MPa,该粘合剂层的厚度为20μm~60μm。
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
对于将形成有电极的半导体芯片(带电极的半导体芯片)进行树脂封装而制造的半导体部件,从能够小型化的观点出发,近年正受到关注。作为制造这种半导体部件的方法,研究了如下的方法(片上树脂封装法):在带电极的半导体芯片的电极侧粘贴粘合片而固定该带电极的半导体芯片,在粘合片上用树脂覆盖半导体芯片,从而进行树脂封装。
对于上述方法中使用的粘合片,要求:能够维持带电极的半导体芯片的固定位置的粘合性、能够防止封装树脂在带电极的半导体芯片的电极面沿周围渗入的密合性、不会因封装工序中的加热而变质的耐热性、以及在封装后能够从被加工物容易地且残胶少地被剥离的剥离性。作为满足这样的特性的粘合片,考虑使用具备粘合性根据UV固化而变化(即,能够兼顾粘合性和剥离性)、耐热性优异、加热时不易产生密合性破坏的粘合剂层的粘合片(例如专利文献1)。但是,即使是这样的粘合片,也存在如下的问题:经过了加热处理的粘合片在如带电极的半导体芯片的电极面这样存在凹凸的表面上,无法充分减少剥离时产生的残胶。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-120884号公报
发明内容
本发明是为了解决上述以往的问题而作出的,其目的在于,提供即使在加热后从凹凸面的剥离性也优异、剥离后不易产生残胶的粘合片。
本发明人等进行了深入研究,结果发现,对于从凹凸面剥离粘合片时产生的残胶,其要因是:剥离应力集中在凹凸面角部(例如电极的角部),因此固化后的粘合剂层受到物理破坏,进而发现,这种要因比以往关注的要因(即、粘合剂层中的低分子量成分与被粘面的分子间力等)的影响更大,从而完成了本发明。
本发明的粘合片具备由包含基础聚合物的粘合剂形成的粘合剂层,所述粘合剂层能够通过活性能量射线的照射而固化,活性能量射线固化前的该粘合剂层的刚性(25℃下的纳米压痕弹性模量与厚度之积)为0.0013N/m~0.008N/m,活性能量射线固化前的该粘合剂层在25℃下的纳米压痕弹性模量为0.045MPa~0.175MPa,该粘合剂层的厚度为20μm~60μm。
一个实施方式中,上述基础聚合物具有碳-碳双键,将上述粘合片在150℃下进行1小时加热时的、该碳-碳双键的残留率(加热后的碳-碳双键数/加热前的碳-碳双键数×100)为80%以上。
一个实施方式中,上述粘合剂层还包含自由基捕获剂,相对于上述基础聚合物100重量份,该自由基捕获剂的含有比例为1重量份以下。
一个实施方式中,上述粘合剂层还包含光聚合引发剂,在氮气气氛中、以升温速度2℃/分钟从23℃升温到300℃的环境下,该光聚合引发剂的10重量%减少温度为220℃以上。
一个实施方式中,上述粘合剂层还包含交联剂,相对于上述基础聚合物100重量份,该交联剂的含有比例为0.5重量份~1.5重量份。
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