[发明专利]一种等离子体改性超滤膜处理系统

说明书

本发明公开了一种等离子体改性超滤膜处理系统，其包括工作室，工作室上设置有放电室，放电室的一侧设置有总控箱；总控箱内设置有控制单元和等离子体电源模块，总控箱上设置有与控制单元相连接的控制面板；放电室内设置有正对并连接等离子体电源模块的电极，两个电极之间设置有第一进气管；工作室内设置有超滤膜装载部件，工作室的底部设置有抽气口，抽气口连接一真空机组，真空机组连接控制单元；超滤膜装载部件包括与控制单元相连接的步进装置，步进装置通过至少一根螺纹杆活动连接一用于存放超滤膜的基片台。本发明在超滤膜上形成的薄膜厚度均匀，等离子体电源模块输出稳定，能进行意外跳闸保护，有效提高本系统的安全性。

技术领域

本发明涉及超滤膜处理系统，具体涉及一种等离子体改性超滤膜处理系统。

背景技术

等离子表面改性工艺是利用各种表面涂镀层及表面改性技术，赋予基体材料本身所不具备的特殊的力学、物理或化学性能。现有等离子体改性系统存在以下几个问题：

1、薄膜厚度不均匀；

2、在沉积某些半导体、掺杂半导体、导体时会不可避免的会在石英玻璃管的表面形成薄膜，这些薄膜具有一定的电导率，薄膜逐渐变厚的时候存在趋肤效应，影响微波在以等离子体为外导体的同轴波导内传播以及在气体中产生击穿放电，进而不利于该等离子体装置的连续性运行及加工；

3、对于某些不适于采用R2R结构实现大面积等离子体处理的工件，目前采用的是多组线形等离子体并排的方式产生大面积等离子体，这种大面积等离子体源在处理上述材料的薄膜沉积，或者需要进行自由基增强沉积时同样存在上述问题。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种等离子体改性超滤膜处理系统解决了现有等离子体改性系统在工作时薄膜厚度不均匀的问题。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：

提供一种等离子体改性超滤膜处理系统，其包括工作室，工作室的上方设置有放电室，放电室的一侧设置有总控箱；总控箱内设置有控制单元和等离子体电源模块，总控箱上设置有与控制单元相连接的控制面板；放电室内设置有两个正对且连接等离子体电源模块的电极，两个电极之间设置有第一进气管；工作室内设置有超滤膜装载部件，工作室的底部设置有抽气口，抽气口与一真空机组连接，真空机组连接控制单元；

超滤膜装载部件包括与控制单元相连接的步进装置，步进装置通过至少一根螺纹杆与一用于存放超滤膜的基片台活动连接。

进一步地，步进装置通过一根螺纹杆与基片台活动连接，步进装置与基片台之间还设置有用于辅助螺纹杆承载基片台的滑杆。

进一步地，基片台上设置有加热片，加热片的电源线设置在滑杆内并连接控制单元。

进一步地，放电室的上方、左侧和右侧分别设置有第一磁场产生器、第二磁场产生器和第三磁场产生器；第一磁场产生器的上端和下端分别为N极和S极；第二磁场产生器和第三磁场产生器的上端和下端均分别为S极和N极。

进一步地，放电室的另一侧设置有气体容置腔，气体容置腔通过气体输送控制装置连接第一进气管，气体输送控制装置为连接控制单元的流量电磁阀；放电室内还设置有第二进气管。

进一步地，等离子体电源模块包括三个并联的RC阻容缓冲电路，与三个并联的RC阻容缓冲电路相连接的三相可控硅全桥整流滤波电路，并联在三相可控硅全桥整流滤波电路输出端的两个串联的电解电容，以及连接在三相可控硅全桥整流滤波电路输出端的脉冲输出电路；两个串联的电解电容还并联有一无感聚酯薄膜电容。