[发明专利]微型发光元件与显示装置

说明书

本发明提供一种微型发光元件与显示装置。微型发光元件包括磊晶结构层、第一型接垫、第二型接垫以及电流调控结构。磊晶结构层包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型接垫电性连接第一型半导体层。第二型接垫电性连接第二型半导体层。电流调控结构配置于第二型半导体层与第二型接垫之间。第二型半导体层与电流调控结构的接触电阻小于第二型半导体层与第二型接垫的接触电阻。电流调控结构于第二型半导体层上的正投影面积小于第二型接垫于第二型半导体层上的正投影面积。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件与显示装置，尤其涉及一种微型发光元件与采用此微型发光元件的显示装置。

背景技术

发光元件，例如是发光二极管(Light Emitting Diode,LED)可以通过电子电流驱动发光二极管的发光层而发出光。现阶段的发光二极管仍面临到许多技术上的挑战，而发光二极管的效率衰退(Efficiency Droop)效应为其中之一。

具体而言，当发光二极管在一电流密度的操作范围时，会对应一个外部量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)的峰值。随着发光二极管的电流密度持续升高，外部量子效率会随之下降，而此现象即为发光二极管的效率衰退效应。一般来说，为了使发光二极管达到高亮度发光，发光二极管的电流密度常是在相对高电流密度的操作范围。然而，随着发光二极管微型化而产生的微型发光二极管，在相对高电流密度的操作范围下的外部量子效率受到限制，因此如何在提高微型发光二极管的发光效率的情况下，仍可减缓发光二极管的效率衰退效应，便成为亟待解决的问题之一。由于微型发光二极管远小于现有的发光二极管的尺寸，因此如何避免侧壁漏电问题也为亟待解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种微型发光元件，具有较佳的发光效率。

本发明另提供一种显示装置，其包括上述的发光元件，可具有较佳的显示质量。

本发明的微型发光元件，其包括磊晶结构层、第一型接垫、第二型接垫以及电流调控结构。磊晶结构层包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。发光层配置于第一型半导体层上，而第二型半导体层配置于发光层上。第一型接垫配置于磊晶结构层上，且电性连接第一型半导体层。第二型接垫配置于磊晶结构层上，且电性连接第二型半导体层。电流调控结构配置于第二型半导体层与第二型接垫之间，其中第二型半导体层与电流调控结构的接触电阻小于第二型半导体层与第二型接垫的接触电阻，且电流调控结构于第二型半导体层上的正投影面积小于第二型接垫于第二型半导体层上的正投影面积。

本发明的显示装置，其包括驱动基板与多个微型发光元件。驱动基板具有多个像素区。微型发光元件电性连接于驱动基板上，且每一像素区内至少配置一个微型发光元件。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构与第二半体层形成欧姆接触。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构于第二型半导体层上的正投影面积与第二型接垫于第二型半导体层上的正投影面积的比值介于0.1至0.9之间。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构的功函数大于第二型半导体层的功函数。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构的功函数大于第二型接垫的功函数。

在本发明的一实施例中，上述的第二型接垫的厚度与电流调控结构的厚度的比值介于2 至400之间。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构的厚度介于5纳米至200纳米之间。

在本发明的一实施例中，上述的第二型接垫于第二型半导体层上的正投影面积与第二型半导体层的面积的比值介于0.1至0.9之间。

在本发明的一实施例中，上述的电流调控结构包括膜层或图案化结构。