[发明专利]面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件有效
| 申请号： | 201710555933.0 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107359199B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;陈友国 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211103 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面向 联网 热电 转换 soi ldmos 器件 | ||
1.一种面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，包括SOI基LDMOS以及若干热电偶；
其中，所述SOI基LDMOS包括SOI衬底(1)及SOI衬底(1)上横向双扩散得到的P阱区(2)、N-漂移区(3)，且P阱区(2)顶部布置有重掺杂的N+型源区(6)，N+型源区(6)上设置有源区金属极(12)；所述N-漂移区(3)顶部远离P阱区(2)的一侧布置有重掺杂的N+型漏区(7)，且N+型漏区(7)上设置有漏区金属极(13)；所述N-漂移区(3)上靠近P阱区(2)的一侧设置有栅极氧化层(4)，且栅极氧化层(4)上设置有栅极多晶硅(5)；
所述SOI基LDMOS上围绕源区金属极(12)、栅极多晶硅(5)、漏区金属极(13)四周设置有二氧化硅钝化层(11)，且热电偶在二氧化硅钝化层(11)上分别围绕源区金属极(12)、栅极多晶硅(5)、漏区金属极(13)四周设置；每个热电偶包括并列设置的热电偶金属臂(8)及热电偶N+型多晶硅臂(9)，相邻的热电偶金属臂(8)及热电偶N+型多晶硅臂(9)之间通过金属连线(10)依次串联。
2.根据权利要求1所述的面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，通过SOI基LDMOS上的温度分布为热电偶提供热源，通过热电偶实现热电能量转换的同时实现SOI基LDMOS的散热。
3.根据权利要求2所述的面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，所述热电偶分别围绕源区金属极(12)、栅极多晶硅(5)、漏区金属极(13)排列并依次串联，形成三个热电偶模块(14)，且热电偶的一端靠近所在模块的电极，其另一端远离所在模块的电极。
4.根据权利要求3所述的面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，每个热电偶模块(14)设置有两个热电偶引出极(15)，且三个热电偶模块(14)通过金属连线(10)依次串联。
5.根据权利要求4所述的面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，每个热电偶模块(14)包括12个串联的热电偶。
6.根据权利要求4所述的面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，其特征在于，通过检测三个热电偶模块(14)所产生的塞贝克压差来实现SOI基LDMOS上热耗散功率的检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710555933.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗泥型磷酸基改性聚羧酸减水剂及其制备方法
- 下一篇：换电站及其保护系统
- 同类专利
- 专利分类
