[发明专利](R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I的制备方法无效
申请号: | 201710551260.1 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107973738A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 叶雷 | 申请(专利权)人: | 重庆润泽医药有限公司 |
主分类号: | C07D207/273 | 分类号: | C07D207/273 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司50209 | 代理人: | 韦永华 |
地址: | 400042*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 羟基 吡咯烷 乙酰 胺晶型 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺,具体涉及一种(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型的制备方法。
背景技术
4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺,CAS号为62613-82-5,由意大利史克比切姆公司于1974年首次合成,1987年上市的新一代脑代谢改善药,可促进磷酰胆碱和邻酰乙醇胺合成,促进脑代谢,通过血脑屏障对特异性中枢神经通路有刺激作用,改善智力和记忆。研究表明(CN 106166150 A),(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺(CAS 68252-28-8),在镇静,抗癫痫领域有特殊的生物学活性,并且其毒性低,药物安全范围大,有望成为现有的高毒性抗癫痫类药物的替代品。为有效将(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺开发成药品,需要一种具有易于制造并且可接受的化学和物理稳定性的固态形式,以促进其加工与流通储存。对于增强化合物的纯度和稳定性而言,结晶固体形态一般优于非晶型形态。目前(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺的制备方法及晶型研究较少,尚未有(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺的晶型披露。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型的制备方法,本发明的完整特性如下文所述,但是为了方便起见,将所提供的(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型称为“晶型I”。
本发明的目的是这样实现的:
一种(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I的制备方法,采用如下步骤:将(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺用甲醇或丁酮溶解,形成过饱和溶液,然后在-12℃~-21℃的低温环境中结晶,过滤,干燥,得到(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I;所述(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I在衍射角度2θ为16.66±0.2°、17.54±0.2°、21±0.2°、22.16±0.2°、30.96±0.2°有衍射峰。
根据本发明的一个实施方案,上述(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I的制备方法,采用如下步骤:
在甲醇或丁酮中以5mg/mL-80mg/mL的浓度加入(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺,不断搅拌,30℃~65℃加热溶解,过滤,形成过饱和溶液;将过饱和溶液密封放置在-10℃~-25℃的低温环境中冷却结晶,过滤分离出结晶,干燥,得到(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I。
根据本发明的一个实施方案,上述低温环境优选-14℃~-21℃。
根据本发明的一个实施方案,上述干燥条件优选为35-60℃,相对湿度为0-40%,干燥2-10h。
根据本发明的一个实施方案,上述(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I的制备方法,采用如下步骤:
在甲醇或丁酮中以5mg/mL-80mg/mL的浓度加入(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺,不断搅拌,35℃~60℃加热溶解,过滤,形成过饱和溶液;将过饱和溶液密封放置在-15℃~-20℃的低温环境中冷却结晶,过滤分离出结晶,在60-75℃、相对湿度为0-35%条件下干燥3-7h,得到(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I。
本发明(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I,在衍射角度2θ为22.16±0.2°处的相对峰强度为100%;在衍射角度2θ为17.54±0.2°、16.66±0.2°、30.96±0.2°的相对峰强度不小于80%。
本发明(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I在衍射角度2θ为16.66±0.2°、17.54±0.2°、19.42±0.2°、21±0.2°、22.16±0.2°、23.46±0.2°、25.36±0.2°、26.08±0.2°、30.96±0.2°处有衍射峰。
本发明(R)-4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺晶型I在衍射角度2θ为12.6±0.2°、16.66±0.2°、17.54±0.2°、19.42±0.2°、20.68±0.2°、21±0.2°、22.16±0.2°、23.46±0.2°、25.36±0.2°、26.08±0.2°、26.5±0.2°、30.26±0.2°、30.96±0.2°处有衍射峰。
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